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GNP1150TCA-ZE2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 62.5W(Tc) 2.4V@18mA 2.7nC@ 6 V 1个N沟道 650V 195mΩ@ 1.9A,5.5V 112pF@400V DFN-8080AK 贴片安装
供应商型号: 4179927
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) GNP1150TCA-ZE2

GNP1150TCA-ZE2概述


    产品简介


    本电子元器件是型号为GNP1150TCA-Z的氮化镓增强模式功率晶体管。该器件具备高电压(650V)和低导通电阻(150mΩ),适用于高频开关电源和高密度转换器。其主要功能包括高速开关和高效率操作,广泛应用于电信、数据中心、新能源汽车等领域。

    技术参数


    - Drain - Source电压(VDSS): 650V
    - 瞬态Drain - Source电压(VDSS(transient)): 750V
    - Junction温度(Tj): 150°C
    - Gate - Source电压(VGSS): ±8.5V
    - 瞬态Gate - Source电压(VGSS(transient)): ±8.5V
    - 连续Drain电流(ID): 11A(Tc = 25°C),35A(Tc = 125°C)
    - 最大脉冲Drain电流(ID,pulse): 17A(Tc = 25°C),17A(Tc = 125°C)
    - 功率耗散(Ptot): 46.3W(Tc = 25°C)
    - 静态Drain - Source导通电阻(RDS(on)): 150mΩ(典型值)
    - 输出电容(Coss): 19pF(VDS = 400V)
    - 有效输出电容(Co(er)): 29pF
    - 输入电容(Ciss): 112pF
    - 总门极电荷(Qg): 2.7nC(VDS = 400V)
    - 反向恢复时间(trr): 无数据
    - 热阻抗(RthJA): 46.5°C/W(典型值)
    - 封装形式: DFN8080AK
    - 订货单位: 基本订购单位为3500个

    产品特点和优势


    1. 高电压耐受能力:高达650V的耐压能力,适用于高压应用环境。
    2. 低导通电阻:150mΩ的低导通电阻使得器件具有高效率操作特性。
    3. 快速开关速度:适合高频应用,例如电信、数据中心和新能源汽车领域。
    4. 高效能转换器:适用于高密度转换器,提升系统整体效率。
    5. 高可靠性:能够在150°C的高温环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频开关电源:利用其低导通电阻和高开关频率,可提高电源效率和稳定性。
    - 高密度转换器:适用于对空间要求严格的场合,如小型化设备中。
    - 新能源汽车:在新能源汽车的电源管理系统中,其高效的能量转换能力可以显著降低能耗。
    使用建议
    - 散热设计:在高频应用中,注意散热设计以保证器件长期稳定运行。
    - 负载变化:考虑瞬态负载情况,确保器件性能不受影响。
    - 驱动电路设计:适当设计驱动电路,确保门极电压不超过绝对最大额定值。

    兼容性和支持


    该产品可以与其他符合标准的电子元器件配合使用,厂商提供详尽的技术支持和维护服务。在使用过程中如有疑问,可联系技术支持获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 电源过载导致器件损坏。
    - 解决方案: 确保负载变化在器件额定范围内,增加保护电路以避免过载。
    2. 问题: 器件出现异常高温。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,必要时增加外部冷却措施。
    3. 问题: 高频应用中的振荡现象。
    - 解决方案: 添加适当的滤波电路,减少干扰。

    总结和推荐


    GNP1150TCA-Z是一款高性能的氮化镓增强模式功率晶体管,具有高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关速度等显著优势,非常适合用于高频开关电源和高密度转换器。考虑到其高可靠性和多功能性,强烈推荐在高频应用场合使用此产品。在使用过程中应注意散热和负载管理,以充分发挥其性能。

GNP1150TCA-ZE2参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 112pF@400V
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 2.7nC@ 6 V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 195mΩ@ 1.9A,5.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@18mA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 62.5W(Tc)
通用封装 DFN-8080AK
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

GNP1150TCA-ZE2厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

GNP1150TCA-ZE2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM GNP1150TCA-ZE2 GNP1150TCA-ZE2数据手册

GNP1150TCA-ZE2封装设计

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