处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK3019TL

2SK3019TL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 150mW(Ta) 20V 1.5V@ 100µA 1个N沟道 30V 8Ω@ 10mA,4V 100mA 13pF@5V 贴片安装
供应商型号: UNP-2SK3019TL
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) 2SK3019TL

2SK3019TL概述

    # 2SK3019 晶体管技术手册

    产品简介


    2SK3019 是一种小型开关晶体管(30V, 0.1A),主要用于接口和开关应用(30V, 100mA)。这款N沟道MOSFET晶体管具有多种显著特点,如低导通电阻、快速开关速度及低电压驱动等,使其成为便携式设备的理想选择。此外,其结构简单,易于并联使用,非常适合于现代电子系统的设计与集成。

    技术参数


    工作参数
    - 源漏极电压 (VDSS):30V
    - 栅源极电压 (VGSS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):100mA
    - 脉冲漏电流 (IDRP):200mA
    - 总耗散功率 (PD):150mW (Tc=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    电气特性
    - 栅源漏电流 (IGSS):5μA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 反向栅源漏电流 (IDR):100mA (VDS=30V, VGS=0V)
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):13μA (VDS=30V, VGS=0V)
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0V (ID=1mA, VGS=2.5V)
    - 静态导通电阻 (RDS(on)):典型值为0.5Ω,最大值为1.5Ω (VGS=4V)

    产品特点和优势


    2SK3019 的独特之处在于其低导通电阻(0.5Ω),这有助于降低功耗,提升效率。其快速的开关速度(典型上升时间为35ns,下降时间为80ns)使其在高频应用中表现出色。此外,这款晶体管可以在低至2.5V的电压下工作,适合用于便携式设备。同时,设计良好的驱动电路使得它易于并联使用,进一步提高了灵活性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:利用其快速开关速度和低导通电阻,可以有效降低功耗,提高效率。
    - 电池管理:由于低电压驱动的特点,使得其在电池管理系统中表现优异。
    - 信号调节:适用于信号放大和调节等场合。
    使用建议
    - 散热管理:尽管2SK3019具有较好的散热能力,但在高负载条件下仍需注意适当的散热措施,以防止过热。
    - 驱动电路设计:考虑到其低导通电阻和低电压驱动,设计驱动电路时需确保驱动电压适中,以充分发挥其性能。

    兼容性和支持


    2SK3019 采用SC-75A封装(EIAJ: SC-75A, JEDEC: SOT-416),并提供标准化的引脚配置。制造商提供了详细的电气特性和封装规格,以确保产品与其他电子元器件的兼容性。此外,厂家还提供了相应的技术支持,以帮助用户解决设计和使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    问题一:过高的静态导通电阻 (RDS(on))
    解决方案:检查电路设计,确保驱动电压满足要求,并考虑添加合适的散热措施。
    问题二:过高的栅源漏电流 (IGSS)
    解决方案:检查连接是否正确,确保驱动电路无误。必要时,更换合适的驱动芯片。
    问题三:过高的温度
    解决方案:增加散热片或散热器,以提高散热效果。如果仍然无法解决问题,则需要重新考虑电路布局或选择更高散热能力的型号。

    总结和推荐


    综上所述,2SK3019 是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,具备低导通电阻、快速开关速度和低电压驱动等显著优点,使其广泛适用于开关电源、电池管理和信号调节等领域。通过合理的驱动电路设计和良好的散热管理,可最大化其性能优势。因此,对于追求高效能、低功耗和便携性的电子设计项目,强烈推荐使用2SK3019。

2SK3019TL参数

参数
最大功率耗散 150mW(Ta)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 100µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13pF@5V
栅极电荷 -
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω@ 10mA,4V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 100mA
Vds-漏源极击穿电压 30V
1.7mm(Max)
900μm(Max)
800μm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

2SK3019TL厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

2SK3019TL数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM 2SK3019TL 2SK3019TL数据手册

2SK3019TL封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.0171 ¥ 0.1443
1779+ $ 0.0162 ¥ 0.1369
库存: 1779
起订量: 694 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504