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QS6J3TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W 12V 2V@1mA 3nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 215mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A 270pF@10V SOT-457T-6 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: 1525471
供应商: element14
标准整包数: 5
ROHM 场效应管(MOSFET) QS6J3TR

QS6J3TR概述

    QS6J3 MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    QS6J3 是一款小型开关 MOSFET,特别适用于需要高可靠性和快速响应的应用。它由两个 P 沟道 MOSFET 组成,集成在一个 TSMT6 封装中。其主要功能是实现快速开关操作,具有低导通电阻,适合在电源管理和通信设备中广泛应用。

    技术参数


    - 封装:TSMT6(每管脚尺寸相同)
    - 外部尺寸(单位:mm):
    - 引脚1 标记:0.16
    - 2.9 × 2.8 × 1.6 mm³
    - 绝对最大额定值(Ta=25°C):
    - 漏源电压 (VDSS):-20 V
    - 栅源电压 (VGSS):±12 V
    - 漏极电流 (ID):-1.5 A
    - 最大功率耗散 (PD):1.25 W
    - 通道温度 (Tch):-0.75°C 至 +150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻(Rth ch-a):100°C/W
    - 电气特性(Ta=25°C):
    - 栅源漏电流 (IGSS):-10 µA
    - 栅阈电压 (VGS(th)):-0.7 V 至 -2.0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):170 mΩ 至 235 mΩ

    产品特点和优势


    1. 双 P 沟道 MOSFET:两个 P 沟道 MOSFET 集成在一个封装中,节省空间并提供更高的集成度。
    2. 低导通电阻:具有较低的导通电阻,确保高效能。
    3. 快开关速度:快速开关特性适合于高频应用,如电源管理和通信设备。
    4. 低电压驱动:N 沟道 MOSFET 支持低电压驱动(2.5V),易于集成到多种电路设计中。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:开关电源管理、通信设备、便携式电子产品等。
    - 使用建议:为了优化电路性能,建议在设计时考虑散热措施,并确保正确连接栅极以防止过压。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数现代电子设备和电路板兼容。
    - 支持:供应商提供详尽的技术文档和支持服务,以便用户解决可能出现的技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的漏源电压可能导致损坏。
    - 解决办法:使用合适的保护电路,并确保电压不超过额定值。
    2. 问题:开关频率过高导致发热。
    - 解决办法:增加散热片或选择更大功率的封装型号。

    总结和推荐


    QS6J3 MOSFET 具有高性能、低功耗和快速开关的特点,在电源管理和通信设备中表现优异。强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效开关性能的应用中。

QS6J3TR参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 215mΩ@ 1.5A,4.5V
FET类型 2个P沟道
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 3nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 270pF@10V
配置
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 1.5A
最大功率耗散 1.25W
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 SOT-457T-6
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐

QS6J3TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS6J3TR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS6J3TR QS6J3TR数据手册

QS6J3TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 0.5492 ¥ 4.5971
10+ $ 0.4449 ¥ 3.7236
100+ $ 0.3308 ¥ 2.7685
500+ $ 0.2821 ¥ 2.3608
1000+ $ 0.2231 ¥ 1.8672
5000+ $ 0.2064 ¥ 1.7277
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