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RS1L180GNTB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 3W 20V 63nC 60V 5.6mΩ@ 10V 3.23nF@ 30V SOP 贴片安装
供应商型号: CSJ-ST50100696
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) RS1L180GNTB

RS1L180GNTB概述

    # RS1L180GN N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    RS1L180GN 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种电子设备中作为开关或驱动元件。它具有低导通电阻和高功率封装的特点,适用于高效率的电力转换系统。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on) 最大值为5.6mΩ)
    - 高功率封装(HSOP8)
    - 无铅电镀,符合RoHS标准
    - 无卤素
    - 100% Rg和UIS测试
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 通信设备
    - 汽车电子
    - 工业控制

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压:60V
    - 连续漏极电流(Tc = 25°C):±68A
    - 脉冲漏极电流:±72A
    - 栅源电压:±20V
    - 雪崩电流(单脉冲):18A
    - 雪崩能量(单脉冲):50mJ
    - 功率耗散(Tc = 25°C):39W
    - 功率耗散(Ta = 25°C):3.0W
    - 结温:150°C
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    热阻抗
    - 结至壳体热阻(最小值):3.2°C/W
    - 结至环境热阻(最小值):41.7°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):60V
    - 击穿电压温度系数(ΔV(BR)DSS):60mV/°C
    - 栅泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 栅阈电压(VGS(th)):1.0 - 2.5V
    - 导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ(VGS = 10V, ID = 18A)

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    1. 低导通电阻:使得RS1L180GN在大电流应用中表现出色,减少功率损耗,提高效率。
    2. 高功率封装:HSOP8封装保证了良好的散热性能和可靠性。
    3. 无卤素:更环保,符合现代电子产品趋势。
    4. RoHS合规:符合欧洲有害物质限制指令,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:在电源转换应用中,能够高效处理大电流。
    - 电机驱动:驱动大功率电机时,具有出色的热稳定性和耐用性。
    使用建议
    1. 注意散热设计:由于功率耗散较大,建议在电路设计时加入适当的散热措施,以避免过热。
    2. ESD保护:在使用过程中要注意静电放电的影响,建议加入防静电保护电路。
    3. 应用环境:确保应用环境在规定的温度范围内,避免极端温度条件下的使用。

    兼容性和支持


    兼容性
    RS1L180GN 可与多种电子设备和组件兼容,如直流电源转换器、逆变器等。详细的兼容性信息请参考制造商的技术支持文档。
    支持和服务
    ROHM 提供全面的技术支持服务,包括安装指南、故障排除指南和应用笔记。如果您有任何技术问题或需要进一步的帮助,请联系当地的ROHM销售代表。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决方法
    1. 问题:高温环境下功率耗散增大。
    - 解决方法:设计良好的散热方案,使用散热片或散热风扇辅助散热。
    2. 问题:电路启动时易受静电影响。
    - 解决方法:添加ESD防护电路,如瞬态电压抑制二极管(TVS)。
    3. 问题:使用环境湿度大导致结露。
    - 解决方法:确保电路板密封良好,防止水分进入。

    总结和推荐


    综合评估
    RS1L180GN 在多个关键参数上表现出色,如低导通电阻和高功率密度。其独特的设计使其适用于多种高要求的应用场景。然而,在使用过程中需要注意适当的散热和防护措施。
    推荐
    综上所述,RS1L180GN是一款非常值得推荐的产品。尽管它的价格可能较高,但其卓越的性能和可靠性使得它在高效率和稳定性要求较高的应用中极具竞争力。对于需要大电流、高效率电力转换的场合,RS1L180GN是一个理想的选择。

RS1L180GNTB参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.6mΩ@ 10V
栅极电荷 63nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 3W
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.23nF@ 30V
配置 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

RS1L180GNTB厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

RS1L180GNTB数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM RS1L180GNTB RS1L180GNTB数据手册

RS1L180GNTB封装设计

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