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QH8M22TCR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.5W 20V 2.5V@ 10µA,3V@ 1mA 2.6nC@ 10V,9.5nC@ 10V 2N+2P沟道 40V 46mΩ@ 4.5A,10V,190mΩ@ 2A,10V 2A,4.5A 193pF@ 20V,450pF@ 20V TSMT-8 贴片安装 800μm(高度)
供应商型号: A-QH8M22TCR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QH8M22TCR

QH8M22TCR概述

    QH8M22 40V Nch+Pch Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    QH8M22 是一款由 ROHM 公司生产的 40V N沟道和P沟道复合功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻的特点,适合应用于各种需要高效率和紧凑尺寸的应用场合,如开关电源、马达驱动和其他电力电子系统中。

    2. 技术参数


    以下是 QH8M22 的关键技术规格:
    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 \(V{DSS}\):40V (N沟道), -40V (P沟道)
    - 持续漏电流 \(ID\):±4.5A (N沟道), ±2.0A (P沟道)
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\):4.5A (N沟道), -2.0A (P沟道)
    - 雪崩能量 \(E{AS}\):1.6mJ (N沟道), 0.3mJ (P沟道)
    - 功率参数:
    - 总功率耗散 \(PD\):1.5W (安装在陶瓷板上), 1.1W (安装在FR4板上)
    - 热阻 \(R{thJA}\):83.3℃/W (陶瓷板), 113℃/W (FR4板)
    - 电气特性:
    - 栅源击穿电压 \(V{GS(th)}\):1.0V ~ 2.5V (N沟道), -3.0V ~ -1.0V (P沟道)
    - 静态导通电阻 \(R{DS(on)}\):34.6mΩ ~ 46.0mΩ (N沟道), 130mΩ ~ 190mΩ (P沟道)
    - 输入电容 \(C{iss}\):193pF (N沟道), 450pF (P沟道)
    - 温度范围:
    - 工作温度范围:-55°C ~ +150°C
    - 存储温度范围:-55°C ~ +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: QH8M22 的导通电阻低,使得其在电力转换应用中具有更高的效率。
    - 小尺寸封装: 采用TSMT8封装,体积小巧,适合空间受限的设计。
    - 环保材料: 无铅镀层,符合RoHS标准,不含卤素,对环境友好。
    - 优异的电气特性: 具备良好的栅极电荷特性,可以快速开关,减少功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: QH8M22 适用于开关电源、马达驱动、通信设备和其他电力转换应用。例如,在一个电源适配器设计中,使用 QH8M22 可以有效降低能耗并提高转换效率。
    - 使用建议: 在使用 QH8M22 时,需注意散热管理,确保其在安全的工作温度范围内运行。设计时考虑添加适当的保护电路,如ESD防护,以提高系统的可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: QH8M22 兼容多种电路设计,适合与大多数常见的电力电子设备配合使用。
    - 支持: ROHM 提供详细的技术文档和用户支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何避免过高的温度导致的损坏?
    - 解决方案: 使用热阻计算工具,合理布置散热片,确保器件工作在规定的温度范围内。
    - 问题2: 如何进行有效的ESD防护?
    - 解决方案: 设计时加入ESD防护电路,特别是在敏感应用中。

    7. 总结和推荐


    QH8M22 是一款高性能的40V N沟道和P沟道复合功率MOSFET,具有出色的导通特性和高效能。它的小尺寸封装和环保特性使其非常适合于现代电力电子系统。推荐在需要高效率、低损耗的应用中使用 QH8M22,但需要确保合理的散热设计和ESD防护措施。

QH8M22TCR参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 193pF@ 20V,450pF@ 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@ 4.5A,10V,190mΩ@ 2A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 1.5W
FET类型 2N+2P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 10µA,3V@ 1mA
Id-连续漏极电流 2A,4.5A
栅极电荷 2.6nC@ 10V,9.5nC@ 10V
配置 -
长*宽*高 800μm(高度)
通用封装 TSMT-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QH8M22TCR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QH8M22TCR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QH8M22TCR QH8M22TCR数据手册

QH8M22TCR封装设计

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