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QS8K11TCR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.5W 20V 2.5V@1mA 3.3nC@ 5V 2个N沟道 30V 50mΩ@ 3.5A,10V 3.5A 180pF@10V TSMT-8 贴片安装
供应商型号: CSJ-ST60048014
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS8K11TCR

QS8K11TCR概述


    产品简介


    QS8K11 双 N 沟道 30V 3.5A 功率 MOSFET
    QS8K11 是一款双 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率开关应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on)),内置栅极-源极保护二极管,采用小尺寸表面贴装封装(TSMT8),且符合无铅焊接工艺及 RoHS 标准。QS8K11 主要应用于 DC/DC 转换器等领域。

    技术参数


    - VDSS(漏源电压): 30V
    - RDS(on)(最大值): 50mΩ
    - ID(连续漏电流): ±3.5A
    - PD(耗散功率): 1.5W
    - 绝对最大额定值:
    - VGSS(栅源电压): ±20V
    - ID,pulse(脉冲漏电流): ±12A
    - Tstg(存储温度范围): -55°C 至 +150°C
    - 热阻:
    - RthJA(结-空气):83.3°C/W
    - RthJA(结-空气):227°C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: 具有较低的 RDS(on),减少损耗,提高效率。
    2. 内置保护二极管: 内置栅极-源极保护二极管,防止过电压对器件造成损害。
    3. 小型封装: TSMT8 封装设计,节省空间,便于安装。
    4. 环保材料: 铅(Pb)无害化处理,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    QS8K11 广泛应用于 DC/DC 转换器中。例如,在一个 15V 输入、10V 输出的电源转换电路中,可以将 QS8K11 作为主开关 MOSFET 使用,以实现高效转换。
    使用建议
    1. 散热管理: 由于 PD 限制在 1.5W,需要确保适当的散热措施,避免因过热导致的性能下降或损坏。
    2. 选择合适的工作条件: 确保在合适的 VDS 和 ID 条件下工作,避免超过绝对最大额定值。
    3. 优化布局: 在电路板上合理布局 MOSFET,减少寄生电容,以提升整体性能。

    兼容性和支持


    - 封装: QS8K11 采用 TSMT8 封装,符合标准表面贴装工艺。
    - 支持: ROHM 提供详细的技术文档和客户支持系统,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何确定正确的驱动电压?
    - 解决方案: 确保 VGS 保持在规定的范围内,通常 VGS = 10V 或更高,以保证 MOSFET 的正常导通。
    2. 问题: 如何进行散热管理?
    - 解决方案: 在安装时使用散热片或风扇,确保器件工作在规定的温度范围内,可参考制造商提供的热阻参数。
    3. 问题: 如何检测 MOSFET 是否损坏?
    - 解决方案: 使用万用表测量栅极和源极之间的电阻,如果阻值异常,则可能损坏。

    总结和推荐


    综上所述,QS8K11 是一款高性能、高可靠性的双 N 沟道功率 MOSFET,适用于各种开关电源和 DC/DC 转换器。其低导通电阻、内置保护二极管、小型封装和环保特性使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐该产品用于需要高效率、紧凑设计和可靠性的场合。对于需要进一步技术支持的用户,ROHM 提供详尽的文档和支持服务。

QS8K11TCR参数

参数
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 3.3nC@ 5V
配置
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 1.5W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 180pF@10V
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 3.5A,10V
Id-连续漏极电流 3.5A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TSMT-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS8K11TCR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS8K11TCR数据手册

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QS8K11TCR封装设计

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