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RSH065N06TB1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 2W(Ta) 20V 2.5V@1mA 16nC@ 5 V 1个N沟道 60V 37mΩ@ 6.5A,10V 6.5A 900pF@10V SOP-8 贴片安装
供应商型号: CSJ-ST47105404
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) RSH065N06TB1

RSH065N06TB1概述

    # RSH065N06 4V驱动N沟道MOSFET技术手册解析

    产品简介


    RSH065N06 是一种硅N沟道MOSFET,主要用于开关应用。它的主要功能是实现低导通电阻、内置栅极-源极保护二极管,并采用小型表面贴装封装(SOP8)。这些特性使其成为多种电子设备中不可或缺的组成部分。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
    | 漏极电流 | ID | ±6.5 | A |
    | 峰值漏极电流 | IDP | ±26 | A |
    | 源电流 | IS | 1.6 | A |
    | 峰值源电流 | ISP | 26 | A |
    | 总功率耗散 | PD | 2.0 | W |
    | 结温 | Tch | 150 | °C |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 to +150 | °C |
    热阻抗
    | 参数 | 符号 | 限值 | 单位 |
    ||
    | 结到环境热阻 | Rth(ch-A) | 62.5 | °C/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极泄漏电流 | IGSS | - | - | 10 | μA |
    | 通道-漏极击穿电压 | V(BR)DSS | - | - | 60 | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 2.5 | V |
    | 静态通道-漏极导通电阻 | RDS(on) | - | 28 | 44 | mΩ |
    | 正向转移导纳 | Yfs | - | - | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 900 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 200 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 13 | pF |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 最小为28 mΩ,这使得其在电源管理和其他需要高效开关的应用中表现出色。
    2. 内置保护二极管:提供栅极-源极保护,防止静电损伤。
    3. 小型封装:SOP8封装使得器件占用空间小,适合空间受限的设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:利用其低导通电阻特性提高效率。
    - 直流电机驱动:快速切换和低损耗特性使其适用于各种电机控制系统。
    使用建议
    - 在高电流应用中,确保散热良好以避免过热。
    - 设计电路时,考虑外部保护电路,如瞬态抑制二极管,以增强系统可靠性。

    兼容性和支持


    RSH065N06 与大多数标准SOP8封装兼容。罗姆公司提供详尽的技术支持和文档,包括数据手册、应用笔记等。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 导通电阻过大
    - A: 确保栅源电压高于阈值电压,使用合适的栅极驱动器。
    2. Q: 散热问题
    - A: 使用散热片或增大散热面积,确保散热良好。
    3. Q: 开关速度慢
    - A: 减少寄生电容,使用更短的栅极引线。

    总结和推荐


    RSH065N06 的低导通电阻和内置保护二极管使其在众多应用中表现出色,特别是在开关电源和电机控制方面。尽管存在一些潜在的限制,如较高的导通电压限制了其在某些高电压应用中的使用,但整体而言,这款MOSFET仍是一款值得推荐的产品。如果您正在寻找高性能且成本效益高的开关元件,RSH065N06 是一个不错的选择。

RSH065N06TB1参数

参数
Id-连续漏极电流 6.5A
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 900pF@10V
最大功率耗散 2W(Ta)
栅极电荷 16nC@ 5 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 37mΩ@ 6.5A,10V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

RSH065N06TB1厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

RSH065N06TB1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM RSH065N06TB1 RSH065N06TB1数据手册

RSH065N06TB1封装设计

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