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QS8J2TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.5W 10V 1V@1mA 20nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 36mΩ@ 4A,4.5V 4A 1.94nF@6V TSMT-8 贴片安装
供应商型号: A-QS8J2TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS8J2TR

QS8J2TR概述

    # QS8J2 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    QS8J2 是一款专为高效率设计的12V P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它特别适用于开关电源、电机驱动、电池管理及通信系统中的功率控制环节。其核心优势在于低导通电阻和紧凑的表面贴装封装,确保了出色的性能和高可靠性。
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 电池管理系统
    - 通信设备
    - 工业自动化设备

    技术参数


    规格参数
    - 源极-漏极电压 (VDSS): -12V
    - 最大连续漏极电流 (ID): ±4A
    - 最大脉冲漏极电流 (ID,pulse): ±12A
    - 栅极-源极电压 (VGSS): ±10V
    - 热阻 (RthJA): 83.3 ℃/W(整体)
    - 结温 (Tj): 150 ℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55至+150 ℃
    电气特性
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): -12V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): ≤ -1 μA
    - 栅极-源极漏电流 (IGSS): ±10 μA
    - 静态源极-漏极导通电阻 (RDS(on)): 最大36mΩ(@VGS=-4.5V, ID=-4A)
    - 输入电容 (Ciss): 1940pF(@VGS=0V)
    其他特性
    - 内置栅极-源极保护二极管
    - 零伏特驱动能力
    - 铅免费镀层,符合RoHS标准

    产品特点和优势


    QS8J2的主要特点包括:
    1. 低导通电阻:36mΩ的最大导通电阻使得其在开关电源中可以实现更高的效率。
    2. -1.5V驱动能力:简化了驱动电路的设计,减少对外部驱动器的需求。
    3. 内置栅极-源极保护二极管:提高可靠性,防止高压损坏。
    4. 小封装:采用TSMT8封装,便于在印刷电路板上进行紧凑布局。
    5. 环保材料:无铅电镀,符合RoHS标准,适合环保要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    使用场景
    - 开关电源:用于DC-DC转换器中的高压侧开关。
    - 电池管理:作为充电电路中的开关组件。
    - 电机驱动:适用于各种直流电机的控制。
    使用建议
    - 在高功率应用中,应考虑到器件的散热需求,选择合适的散热方式(如散热片)以确保工作稳定。
    - 确保在组装过程中正确连接栅极和源极,避免过高电压导致内部损坏。
    - 设计时应注意ESD保护,防止静电放电导致器件失效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与同类产品的引脚兼容,可直接替换。
    - 技术支持:制造商提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户解决安装和调试过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:过热
    解决方案:合理安排散热设计,选择合适的散热材料和尺寸,避免过热情况的发生。
    问题2:信号干扰
    解决方案:增加屏蔽措施,例如使用屏蔽线材或设置屏蔽罩,以减少外部干扰的影响。
    问题3:驱动电流不足
    解决方案:增加驱动电流,选择适当的栅极电阻值,确保门极电荷的及时充放电。

    总结和推荐


    综上所述,QS8J2是一款高性能的12V P沟道MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和环保材料等特点。它的应用范围广泛,尤其适用于开关电源、电机驱动和电池管理等领域。我们强烈推荐使用QS8J2,特别是在对效率和可靠性要求较高的应用场景中。通过合理设计和良好的散热管理,可以充分发挥其潜力,为您的项目带来显著的优势。

QS8J2TR参数

参数
Vgs-栅源极电压 10V
FET类型 2个P沟道
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 12V
配置
栅极电荷 20nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 1.5W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@ 4A,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.94nF@6V
3.1mm(Max)
2.5mm(Max)
800μm(Max)
通用封装 TSMT-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS8J2TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS8J2TR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS8J2TR QS8J2TR数据手册

QS8J2TR封装设计

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