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QS6M4TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W 12V 1.5V@1mA 1.6nC@ 4.5V 2N+2P沟道 30V,20V 230mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A 80pF@10V SOT-457T-6 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: UNP-QS6M4TR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS6M4TR

QS6M4TR概述

    # QS6M4 2.5V Drive Nch+Pch MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本描述
    QS6M4 是一款集成式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的器件,具有低导通电阻和快速开关特性。此器件采用 TSMT6 封装,适用于负载开关和逆变器等领域。
    主要功能
    - 集成 N 沟道和 P 沟道 MOSFET
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 快速开关速度
    - 低电压驱动(2.5V)
    应用领域
    - 负载开关
    - 逆变器

    技术参数


    封装和尺寸
    - 封装代码:TSMT6
    - 封装引脚尺寸:所有引脚相同
    - 尺寸单位:mm
    - 引脚位置尺寸:请参考技术手册中的具体尺寸图
    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 | 备注 |

    | 栅源电压 | VGS | ±12 | V
    | 漏源电压 | VDSS | ±30 | V
    | 漏极电流 | ID | ±1.5 | A | 连续 |
    | 源电流 | IS | ±0.75 | A | (体二极管) |
    | 总功率耗散 | PD | 0.9 / 0.8 | W / 元件 | ∗1 |
    | 频率范围 | f | 1 MHz
    | 环境温度 | Tc | -20~150 | °C
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    ||
    | 栅源漏电流 | IGSS | - | ±10 | - | µA | VGS=±12V |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 30 | - | - | V | ID=1mA |
    | 栅阈电压 | VGS(th)| 0.5 | 1.5 | - | V | VDS=10V |
    | 导通电阻 | RDS(on)| - | 170 | 230 | mΩ | ID=1.5A |
    | 输入电容 | Ciss | - | 260 | 360 | pF | VDS=10V |
    | 输出电容 | Coss | - | 80 | - | pF | VDS=10V |
    | 逆向转移电容 | Crss | - | 7 | - | pF | f=1MHz |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 18 | - | ns | RL=15Ω |
    | 上升时间 | tr | - | 15 | - | ns | RG=10Ω |
    | 关闭延迟时间 | td(off)| - | 15 | - | ns | VGS=4.5V |
    | 下降时间 | tf | - | 1.6 | - | ns | VGS=4.5V |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 0.9 | - | nC | ID=1.5A |

    产品特点和优势


    1. 集成设计:N沟道和P沟道MOSFET集成在一个封装内,节省空间。
    2. 低导通电阻:提供低至170mΩ的静态导通电阻,确保高效能。
    3. 快速开关特性:具备快速的开关速度,适用于高频应用。
    4. 低电压驱动:只需2.5V即可驱动,简化电路设计并降低功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于电池管理系统,实现电源管理和分配。
    - 逆变器:适用于小型直流-交流转换系统,如太阳能逆变器。
    使用建议
    - 散热管理:在高电流条件下,确保足够的散热以避免过热。
    - 电路设计:考虑负载特性,合理设置输入电容和输出电容。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准PCB焊接工艺,支持多种应用电路。
    - 支持:制造商提供技术支持和详细的文档资料,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确安装和测试该器件?
    - 答:参照技术手册中的安装指南,使用万用表或示波器进行测试。
    2. 问:器件发热严重怎么办?
    - 答:检查散热设计,增加散热片或风扇以提高散热效果。
    3. 问:电路工作不稳定怎么办?
    - 答:检查外围电路设计和元件匹配情况,确认各参数是否符合要求。

    总结和推荐


    QS6M4 是一款高性能的双通道MOSFET器件,具有出色的电气特性和稳定的工作性能。它的低导通电阻和快速开关特性使其在负载开关和逆变器应用中表现出色。对于需要高效能、小体积和低成本的项目,强烈推荐使用QS6M4。
    综上所述,QS6M4凭借其优异的性能和灵活性,在电子元器件市场上拥有很强的竞争优势,非常值得选用。

QS6M4TR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 80pF@10V
最大功率耗散 1.25W
配置
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 30V,20V
栅极电荷 1.6nC@ 4.5V
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@ 1.5A,4.5V
Id-连续漏极电流 1.5A
FET类型 2N+2P沟道
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 SOT-457T-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS6M4TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS6M4TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS6M4TR QS6M4TR数据手册

QS6M4TR封装设计

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