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QS8J13TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.5W 8V 1V@1mA 60nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 22mΩ@ 5.5A,4.5V 5.5A 6.3nF@6V TSMT-8 贴片安装
供应商型号: 2490605
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS8J13TR

QS8J13TR概述

    QS8J13 -12V Pch+Pch Middle Power MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    QS8J13 是一款由 ROHM 公司生产的 -12V P 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这类器件通常应用于开关电源、电机驱动及直流到直流转换器等电力电子设备中。QS8J13 的独特之处在于其卓越的性能和小巧的封装,使其在紧凑的设计中具有显著的优势。


    2. 技术参数



    - 最大漏源电压 (VDSS):-12V
    - 连续漏极电流 (ID):±5.5A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):±18A
    - 栅源电压 (VGSS):0~-8V
    - 总耗散功率 (PD):1.5W
    - 最大结温 (Tj):150℃
    - 存储温度范围 (Tstg):-55℃ 至 +150℃
    - 热阻 (RthJA):83.3℃/W(总体);100℃/W(元件)
    - 导通电阻 (RDS(on)):22mΩ(典型值)


    3. 产品特点和优势



    - 低导通电阻:RDS(on) 的典型值仅为 22mΩ,这使得器件具有较低的功耗和较高的效率。
    - 小型化表面贴装封装:采用 TSMT8 封装,便于在紧凑的电路板上安装。
    - 无铅电镀:符合 RoHS 标准,环保且安全。
    - 无卤素材料:对环境友好。
    - 高可靠性:最大结温达到 150℃,满足高温环境下稳定工作的需求。


    4. 应用案例和使用建议



    - 应用场景:适用于各种电力转换系统,如逆变器、电机控制器、开关电源等。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,在设计电路时需注意电源输入端的滤波处理,以减少瞬态电压对器件的影响。此外,合理选择散热措施可以有效提高器件的工作寿命和可靠性。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性:QS8J13 可与其他常见的电力电子元器件轻松集成,支持广泛的应用需求。
    - 技术支持:ROHM 公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户快速解决问题。


    6. 常见问题与解决方案



    - Q: 在高脉冲电流下,器件的温度会迅速升高,如何处理?
    - A: 可通过增加散热片或改善散热路径来降低器件的温度。此外,确保电源系统的稳定性和负载均衡也是关键。

    - Q: 如何避免过压损坏?
    - A: 使用合适的保护电路,例如瞬态电压抑制二极管(TVS),以保护 MOSFET 不受过电压影响。


    7. 总结和推荐



    综上所述,QS8J13 MOSFET 具有高可靠性、高效能以及出色的散热能力。它在电力电子应用中表现出色,非常适合用于需要高电流密度和良好散热性能的场合。因此,我们强烈推荐 QS8J13 作为电力电子设计的理想选择。

QS8J13TR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.3nF@6V
栅极电荷 60nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 5.5A,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 12V
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 1.5W
Id-连续漏极电流 5.5A
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@1mA
FET类型 2个P沟道
配置
通用封装 TSMT-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS8J13TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS8J13TR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS8J13TR QS8J13TR数据手册

QS8J13TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.9065
10+ ¥ 2.9595
100+ ¥ 2.6517
500+ ¥ 2.6517
1000+ ¥ 2.557
5000+ ¥ 2.557
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