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QS5U21TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W(Ta) 12V 2V@1mA 4.2nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 200mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A 325pF@10V TSMT-5 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: CSJ-ST49775667
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS5U21TR

QS5U21TR概述

    QS5U21 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型: P沟道功率MOSFET + 肖特基势垒二极管(SBD)
    主要功能:
    - 集成P沟道MOSFET与肖特基势垒二极管,提供低导通电阻和快速开关性能。
    - 适用于低电压驱动环境,典型为2.5V驱动。
    - 具有快速恢复和低正向电压降的特点。
    - 符合无铅电镀和RoHS标准。
    应用领域:
    - 负载开关
    - 直流-直流转换器

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(最大) | -20 | V |
    | 栅源电压(最大) | ±12 | V |
    | 持续漏电流(最大) | ±1.5 | A |
    | 瞬态漏电流(最大) | ±6.0 | A |
    | 持续源电流(最大) | -0.75 | A |
    | 瞬态源电流(最大) | -3.0 | A |
    | 功耗(最大) | 0.9 | W/element |
    | 结温(最大) | 150 | °C |
    | 重复峰值反向电压(最大) | 25 | V |
    | 反向电压(最大) | 20 | V |
    | 正向电流(最大) | 1.0 | A |
    | 正向电流峰值(最大) | 3.0 | A |
    | 功耗(最大) | 0.7 | W/element |
    | 漏栅极电荷(最大) | 4.2 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 集成设计: 集成P沟道MOSFET与肖特基势垒二极管,减少了外接组件的数量。
    - 低导通电阻: 典型值为160-200mΩ,确保了较低的损耗和高效率。
    - 快速开关: 适合高频应用,降低损耗并提高效率。
    - 低电压驱动: 支持2.5V驱动,兼容多种低压系统。
    - 环保材料: 使用无铅电镀和符合RoHS标准,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在负载开关和DC/DC转换器中广泛应用,尤其是在电池供电设备中。
    使用建议:
    - 在使用时需要考虑温度效应,特别是在高功率应用中可能引起热跑偏现象。
    - 设计ESD保护电路以防止损坏。
    - 在大电流环境下运行时,注意监测温度以避免热应力。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品具有较强的通用性,可以广泛应用于各种负载开关和DC/DC转换器。
    - 制造商提供了详细的技术文档和支持服务,有助于客户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致热跑偏 | 定期监测温度,确保在安全范围内运行。 |
    | 电流过大导致损坏 | 设置适当的过电流保护措施。 |
    | 外部电路影响产品性能 | 在设计外部电路时留出足够的余量。 |

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    QS5U21 MOSFET是一个高性能、低功耗的电源管理解决方案,特别适用于需要低电压驱动的应用场景。它具有优秀的集成度、低导通电阻和快速开关性能。
    推荐:
    强烈推荐在电池供电设备、负载开关及直流-直流转换器中使用QS5U21。对于希望提高系统效率和可靠性的工程师来说,这是一个理想的选择。

QS5U21TR参数

参数
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 325pF@10V
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 1.25W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 1.5A,4.5V
Id-连续漏极电流 1.5A
栅极电荷 4.2nC@ 4.5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 TSMT-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS5U21TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS5U21TR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS5U21TR QS5U21TR数据手册

QS5U21TR封装设计

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