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QS8J1TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.5W 10V 1V@1mA 31nC@ 4.5V 2个P沟道 12V 29mΩ@ 4.5A,4.5V 4.5A 2.45nF@6V TSMT-8 贴片安装 3mm(长度)*2.4mm(宽度)
供应商型号: QS8J1TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
ROHM 场效应管(MOSFET) QS8J1TR

QS8J1TR概述


    产品简介


    QS8J1 MOSFET
    QS8J1是一款由ROHM公司生产的1.5V驱动P沟道+P沟道MOSFET。这款MOSFET采用硅基材料制成,具备出色的低导通电阻(On-resistance)、低电压驱动能力和高功率封装能力,使其成为各类开关应用的理想选择。

    技术参数


    - 主要技术规格:
    - 漏源击穿电压(VDSS):±12V
    - 栅源击穿电压(VGSS):±10V
    - 持续漏电流(ID):±4.5A
    - 脉冲漏电流(IDP):±18A
    - 最大功耗(PD):1.5W/元件
    - 工作温度范围(Tch):-55°C至+150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):21mΩ(最大值)
    - 输入电容(Ciss):360pF(最大值)
    - 输出电容(Coss):320pF(最大值)
    - 传输电容(Crss):290pF(最大值)
    - 热阻:
    - 管芯到环境热阻(Rth(ch-a)):83.3°C/W(总计)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: 极低的RDS(on)特性显著减少了能耗。
    2. 低电压驱动: 可以通过1.5V的低电压进行驱动,降低了整体功耗。
    3. 高功率封装: 设计支持高功率应用,适用于各种恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 功率放大器
    使用建议:
    - 在设计电路时考虑并设计ESD保护电路,以避免过高的电压导致MOSFET损坏。
    - 选择合适的栅极电阻,以控制快速开关时产生的振铃现象。
    - 需要确保散热设计足够好,以避免过热损坏MOSFET。

    兼容性和支持


    - 兼容性: QS8J1与大多数常见的PCB布局兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持: 用户可以联系ROHM的销售代表获取技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何减少MOSFET发热?
    - 解决方案:增加外部散热片,或者选择更高热阻的产品型号。
    2. 问题:如何避免静电损坏?
    - 解决方案:设计电路时加入ESD保护二极管,并在操作时佩戴防静电手环。
    3. 问题:如何优化开关时间?
    - 解决方案:调整栅极电阻和驱动电压,以达到理想的开关速度。

    总结和推荐


    综合评估:
    QS8J1 MOSFET凭借其低导通电阻、低电压驱动能力和高功率封装能力,在各类开关应用中表现出色。它特别适合需要高效能且对功耗有严格要求的应用场合。鉴于其出色的性能和广泛应用,我们强烈推荐使用这款产品。
    最终推荐:
    考虑到其广泛的应用场景和优良的性能表现,QS8J1 MOSFET无疑是一个值得推荐的选择。对于任何需要高性能开关解决方案的项目,QS8J1都是一个明智的选择。

QS8J1TR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.45nF@6V
最大功率耗散 1.5W
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 4.5A,4.5V
栅极电荷 31nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 4.5A
FET类型 2个P沟道
Vgs-栅源极电压 10V
Vds-漏源极击穿电压 12V
配置
长*宽*高 3mm(长度)*2.4mm(宽度)
通用封装 TSMT-8
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

QS8J1TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS8J1TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS8J1TR QS8J1TR数据手册

QS8J1TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.4766 ¥ 3.9889
6000+ $ 0.444 ¥ 3.7153
9000+ $ 0.4368 ¥ 3.6555
库存: 6000
起订量: 3000 增量: 1
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