处理中...

首页  >  产品百科  >  QS5U36TR

QS5U36TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W(Ta) 10V 1.3V@1mA 3.5nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 81mΩ@ 2.5A,4.5V 2.5A 280pF@10V TSMT-5 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: 755-QS5U36TR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS5U36TR

QS5U36TR概述

    QS5U36 1.5V Drive Nch+SBD MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    QS5U36 是一款由 ROHM 公司生产的 N沟道 MOSFET 和肖特基势垒二极管(SBD)组成的集成式电子元器件,采用 TSMT5 封装形式。此产品设计适用于高速开关应用,并具备低导通电阻和低电压驱动能力。适用于多种电子设备,特别是在需要高效率转换的应用场景中表现出色。

    2. 技术参数


    - 封装类型: SOT-25T
    - 最大漏源电压 (VDSS): 20V
    - 最大连续漏电流 (ID): ±2.5A
    - 最大耗散功率 (PD): 1.25W
    - 最高结温 (Tj): 150℃
    - 输入电容 (Ciss): 280pF
    - 输出电容 (Coss): 65pF
    - 反向传输电容 (Crss): 35pF
    - 最大栅漏电流 (IGSS): ±10μA
    - 典型阈值电压 (VGS(th)): 0.3V 至 1.3V
    - 最低导通电阻 (RDS(on)): 58mΩ @ VGS=4.5V
    - 反向恢复电压 (VRM): 25V
    - 最大整流电流 (IF): 0.7A
    - 反向漏电流 (IR): 200μA @ VR=20V

    3. 产品特点和优势


    - 高集成度:将 N沟道 MOSFET 和肖特基势垒二极管集成在一个小型封装内,简化了电路设计。
    - 低导通电阻:保证了低功耗操作,特别适合于高效率开关应用。
    - 低电压驱动:仅需 1.5V 即可实现驱动,适应多种低电压电源系统。
    - 内置肖特基势垒二极管:降低正向电压降 (VF),提高整体效率。
    - 无铅镀层,符合 RoHS 标准:确保产品环保且符合相关标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:用于高频开关电源的设计,能有效降低损耗并提高效率。
    - 电机驱动:为电机控制提供高效、可靠的电力供应。
    - 电池管理系统:用于监控和管理电池充电状态,确保安全运行。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应考虑散热措施以避免过热导致的损坏。
    - 考虑到肖特基二极管的大反向漏电流,应在设计时考虑到热量管理和温度变化的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数电子设备及系统,尤其是那些需要高效率转换的应用场景。
    - 支持:ROHM 提供详尽的技术文档和专业的技术支持服务,确保客户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:芯片老化导致性能下降。
    解决方案:建议设计ESD保护电路,提高系统可靠性。
    - 问题:反向漏电流增加引起结温上升。
    解决方案:充分考虑周边环境温度、MOSFET 发热情况和反向电流影响,优化设计以提高散热效果。

    7. 总结和推荐


    QS5U36 MOSFET 是一款专为高效转换应用设计的集成器件。它的低导通电阻、低电压驱动能力和高可靠性使其成为各种电源管理系统的理想选择。建议在设计时充分考虑散热和环境因素,以确保最佳性能和可靠性。
    推荐指数:★★★★☆
    通过细致的设计考量和专业支持,QS5U36 MOSFET 无疑将成为电子设计师手中的得力助手。

QS5U36TR参数

参数
Vgs-栅源极电压 10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 2.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 280pF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 81mΩ@ 2.5A,4.5V
栅极电荷 3.5nC@ 4.5 V
最大功率耗散 1.25W(Ta)
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 TSMT-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS5U36TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS5U36TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS5U36TR QS5U36TR数据手册

QS5U36TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.874 ¥ 7.3853
10+ $ 0.6084 ¥ 5.1406
100+ $ 0.3927 ¥ 3.3183
500+ $ 0.324 ¥ 2.7378
1000+ $ 0.2722 ¥ 2.2998
3000+ $ 0.2344 ¥ 1.9803
6000+ $ 0.2084 ¥ 1.7613
9000+ $ 0.1932 ¥ 1.6325
库存: 3710
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.38
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336