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QS8K51TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.5W 20V 2个N沟道 30V 2A 贴片安装
供应商型号: CSJ-ST44598074
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS8K51TR

QS8K51TR概述

    QS8K51 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    QS8K51是一款100V耐压的小信号N沟道MOSFET,由ROHM公司设计并生产。该产品以其低导通电阻(RDS(on))和小型化表面贴装封装(TSMT8)为核心特点,广泛应用于开关电源、电池管理、电机驱动及通用数字电路等领域。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压(耐压) | VDSS | 100 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | ±2 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDP | ±6 | A |
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
    | 总功率耗散 | PD | 1.5 | W |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | 83.3(典型值) | ℃/W |
    | 工作温度范围 | Tj | -55 至 +150 | ℃ |
    电气特性:
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):≤ 1 µA
    - 栅源漏电电流(IGSS):±10 µA
    - 导通电阻(RDS(on)):240 至 355 mΩ(根据栅电压不同)
    电容特性:
    - 输入电容(Ciss):290 pF(典型值)
    - 输出电容(Coss):30 pF(典型值)
    - 反向转移电容(Crss):20 pF(典型值)
    开关特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):≤ 10 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):≤ 30 ns

    3. 产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on)低至240 mΩ(典型值),有助于提高电路效率。
    2. 高可靠性:绝对最大额定值下的工作环境宽泛(-55℃至+150℃)。
    3. 小尺寸封装:采用TSMT8封装,节省PCB空间,适合现代化紧凑型设计需求。
    4. 卓越的热稳定性:尽管总热阻较高,但可通过良好散热设计维持长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    QS8K51因其优越的开关特性和低导通损耗,适用于以下应用领域:
    - 开关电源:用于高效DC-DC转换器和负载开关。
    - 电机驱动:为电机控制提供高效开关路径。
    - 通用电路:如逻辑电平转换和信号切换。
    使用建议:
    1. 在设计中需确保散热器足够大以降低结温,特别是在高电流条件下运行时。
    2. 为了防止静电损坏,建议添加ESD保护电路。
    3. 使用前确认焊接条件符合规范,尤其是对湿度敏感的环境需要进行预烘处理。

    5. 兼容性和支持


    QS8K51可以与其他同类TSMT封装的MOSFET互换,其主要引脚布局保持一致,便于升级或替代。ROHM公司提供了详尽的技术文档和技术支持,包括设计指导、可靠性测试报告等。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 静态导通电阻过高 | 检查工作温度是否超出推荐范围。 |
    | 功率耗散导致结温异常升高 | 优化散热设计,增加散热片面积。 |
    | 开关速度不足 | 检查驱动电路的输入波形是否足够陡峭。 |

    7. 总结和推荐


    QS8K51凭借其出色的性能指标和小巧的封装形式,在诸多应用领域展现了强大的竞争力。然而,由于其“不再推荐新设计”(Not Recommended for New Designs)的标注,表明其可能是更新替代型号的基础。因此,对于新项目,建议优先选择ROHM最新发布的替代型号以享受更好的技术支持和改进性能。但对于现有设计,仍可继续安全使用。
    推荐指数:★★★☆☆(3/5)

QS8K51TR参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 1.5W
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 2
FET类型 2个N沟道
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

QS8K51TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS8K51TR数据手册

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QS8K51TR封装设计

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