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UT6J3TCR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 2W 8V 1V@1mA 8.5nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 85mΩ@ 3A,4.5V 3A 2nF@10V HUML-2020L-8 贴片安装
供应商型号: CSJ-ST44429627
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) UT6J3TCR

UT6J3TCR概述

    UT6J3 产品概述

    产品简介


    UT6J3 是一款高性能的双 N 沟道功率 MOSFET(场效应晶体管),适用于各种电子设备。该产品以其低导通电阻、小尺寸封装、无铅镀层及 RoHS 符合性等特点,在市场上具备较强的竞争优势。其主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。

    技术参数


    | 参数 | 规格 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | -20 | V |
    | 连续漏极电流 | ±3 | A |
    | 脉冲漏极电流 | ±12 | A |
    | 功率耗散 | 2 | W |
    | 热阻抗,结到环境 | - - 62.5 | °C/W|
    | 漏极-源极击穿电压 | -20 | V |
    | 输入电容 | - 2000 | pF |
    | 输出电容 | - 75 | pF |
    | 反向传输电容 | - 70 | pF |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:85mΩ 的最大静态导通电阻使 UT6J3 在低功耗应用中表现出色。
    - 小尺寸封装:DFN2020-8D 封装使得该器件非常适合高密度 PCB 布局。
    - 环保合规性:符合 RoHS 标准,无铅镀层,无卤素材料。
    - 稳定的工作性能:在宽温度范围内(-55℃ 至 +150℃)具有出色的稳定性。

    应用案例和使用建议


    UT6J3 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中。对于需要高效率和低损耗的应用场景,UT6J3 非常适合。使用时,需要注意以下几点:
    - 在焊接过程中确保焊接条件适宜,以防止焊点损坏。
    - 使用时避免过高的环境温度,确保散热良好。

    兼容性和支持


    UT6J3 具备广泛的兼容性,可以方便地集成到多种电路设计中。ROHM 提供详细的技术文档和客户支持,包括详细的安装说明和售后技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免焊点损坏?
    - 答: 在焊接过程中采用适当的温度曲线和时间控制,避免过热导致的焊点损坏。

    2. 问:如何保证器件散热良好?
    - 答: 设计合理的散热路径,例如使用散热片或热管等辅助散热装置。

    总结和推荐


    UT6J3 是一款出色的双 N 沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻、小尺寸封装和良好的环境适应性。它在高密度电路板设计中表现优异,特别适合开关电源和 DC-DC 转换器等应用。强烈推荐使用 UT6J3,特别是在需要高效和紧凑设计的应用场景中。

UT6J3TCR参数

参数
配置
Vgs-栅源极电压 8V
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 2W
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 3A,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2nF@10V
通道数量 2
栅极电荷 8.5nC@ 4.5V
FET类型 2个P沟道
Id-连续漏极电流 3A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@1mA
通用封装 HUML-2020L-8
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

UT6J3TCR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UT6J3TCR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM UT6J3TCR UT6J3TCR数据手册

UT6J3TCR封装设计

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