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RTQ035P02TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W(Ta) 12V 2V@1mA 10.5nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 65mΩ@ 3.5A,4.5V 3.5A 1.2nF@10V SOT 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: CSJ-ST32098632
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) RTQ035P02TR

RTQ035P02TR概述

    # RTQ035P02 P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    RTQ035P02 是一款高功率P沟道MOSFET晶体管,主要用于DC-DC转换器。该产品具有低导通电阻(80毫欧),可实现高速开关,并且可以在2.5V低电压下驱动。适用于多种电子设备,如视听设备、办公自动化设备、通信设备、家用电器和电子玩具等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极电压 | VDSS | ±20 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGSS | ±12 | V |
    | 漏极电流 | ID | ±3.5 | A |
    | 源极电流 | IS | ±1 | A |
    | 总功率损耗 | PD | 1.25 | W |
    | 通道温度 | Tch | 150 | °C |
    | 存储温度范围 | Tstg | −55~+150| °C |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 条件 | 单位 |
    ||
    | 栅极-源极漏电流 | IGSS | —— | —— | -10 | VGS=±12V, VDS=0V | µA |
    | 栅极阈值电压 | V(BR)DSS | -20 | —— | —— | ID=-1A, VGS=0V | V |
    | 饱和漏极电流 | IDSS | -3.5 | —— | —— | VDS=-20V, VGS=0V | mA |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | —— | 10.5 | —— | —— | nC |
    | 输出电容 | Coss | —— | 130 | —— | f=1MHz | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | —— | 200 | —— | —— | pF |
    | 开启延迟时间 | td(on) | —— | 16 | —— | ID=-2A | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | —— | 55 | —— | RL=7.5Ω | ns |
    | 上升时间 | tr | —— | 40 | —— | VGS=-4.5V | ns |
    | 下降时间 | tf | —— | 30 | —— | RG=10Ω | ns |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:80毫欧(在2.5V时),可显著降低功耗并提高效率。
    2. 高功率封装:采用紧凑设计,适合于空间受限的应用。
    3. 高速开关:快速响应时间和低延迟时间使得它适合高频应用。
    4. 低电压驱动:2.5V即可驱动,适应多种低压电路需求。

    应用案例和使用建议


    RTQ035P02 通常用于DC-DC转换器中。例如,在一个典型的电路中,该晶体管被用于将输入电压转换为所需的输出电压。使用建议如下:
    - 在设计电路时,确保外部组件的参数与晶体管的电气特性匹配。
    - 注意环境温度对性能的影响,特别是高温环境下应避免过载。

    兼容性和支持


    - 兼容性:RTQ035P02 与多数标准电路板兼容,适用于各种DC-DC转换器应用。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和客户支持,帮助解决任何设计或操作问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 晶体管发热严重 | 确保适当的散热措施,检查电路负载。 |
    | 开关频率不理想 | 调整外部电容和电阻以匹配合适的参数。 |
    | 导通电阻高 | 检查栅极驱动电压是否达到要求。 |

    总结和推荐


    RTQ035P02 P-Channel MOSFET是一款性能优异的晶体管,具有低导通电阻和高速开关等优势。对于需要高效能、低功耗的应用场合,这款产品是一个非常不错的选择。总体而言,我们强烈推荐使用该产品,尤其是对于那些需要高可靠性应用的工程师和设计师来说。
    以上是对RTQ035P02 P-Channel MOSFET的详细介绍和使用指南。希望这些信息能够帮助您更好地理解和使用这一产品。

RTQ035P02TR参数

参数
Id-连续漏极电流 3.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
栅极电荷 10.5nC@ 4.5 V
最大功率耗散 1.25W(Ta)
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@10V
配置 独立式quaddrain
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 3.5A,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 1
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

RTQ035P02TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

RTQ035P02TR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM RTQ035P02TR RTQ035P02TR数据手册

RTQ035P02TR封装设计

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