处理中...

首页  >  产品百科  >  US6M2GTR

US6M2GTR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1W 4.5V,4.5V 1.5V@ 1mA,2V@ 1mA 2.2nC@ 4.5V,2.1nC@ 4.5V 2N+2P沟道 30V,20V 240mΩ@ 1.5A,4.5V,390mΩ@ 1A,4.5V 1.5A,1A 80pF@ 10V,150pF@ 10V 贴片安装
供应商型号: 755-US6M2GTR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) US6M2GTR

US6M2GTR概述

    US6M2 2.5V驱动N沟道+P沟道MOSFET 技术手册

    产品简介


    US6M2 是一款集成N沟道和P沟道MOSFET的新型晶体管。该产品具有高开关速度和低导通电阻的特点,适用于多种电子设备的切换应用。主要特性包括2.5V低压驱动能力和内置栅源保护二极管,使得其在各种低压电路设计中表现出色。

    技术参数


    - 电气特性:
    - N沟道MOSFET:
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±1.5V
    - 漏极电流(ID):12A
    - 导通电阻(RDS(on)):0.7Ω(典型值)
    - 输入电容(Ciss):13pF
    - 输出电容(Coss):12pF
    - 转移电容(Crss):7pF
    - 传播延迟时间(td(off)):6ns
    - 下降时间(tf):1.6ns
    - 总栅极电荷(Qg):2.2nC
    - P沟道MOSFET:
    - 漏源电压(VDS):-20V
    - 栅源电压(VGS):±1.5V
    - 漏极电流(ID):-0.4A
    - 导通电阻(RDS(on)):2.1Ω(典型值)
    - 输入电容(Ciss):20pF
    - 输出电容(Coss):20pF
    - 转移电容(Crss):9pF
    - 传播延迟时间(td(off)):10ns
    - 下降时间(tf):2.1ns
    - 总栅极电荷(Qg):0.5nC
    - 绝对最大额定值:
    - 工作温度范围(Tch):-55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 散热电阻(Rth(ch-a)):125°C/W(总),179°C/W(每个单元)

    产品特点和优势


    - 高速开关性能:高开关速度(上升时间、下降时间低),适用于高频电路设计。
    - 低导通电阻:低导通电阻(N沟道和P沟道均低于2.5Ω),降低功耗和发热。
    - 低压驱动:仅需2.5V即可驱动,适用低压电源系统。
    - 内置保护二极管:集成栅源保护二极管,提高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源
    - 电机控制
    - LED照明驱动
    - 通信设备
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,应考虑散热设计,避免长时间大功率运行导致过热。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热管理,以确保产品稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数标准电子设备和电路板兼容,适用于广泛的电子系统。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括安装指南、应用说明和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品工作时温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或风扇,改善散热条件。

    - 问题:开关速度慢。
    - 解决方案:检查电路布局,确保信号线短且直,减少寄生电容和电感。

    总结和推荐


    总结:
    - 主要优点:
    - 高速开关性能
    - 低导通电阻
    - 低压驱动
    - 内置保护二极管
    - 推荐度:
    - 推荐用于需要高效率和可靠性的电子设备中,如开关电源和电机控制系统。
    通过上述分析,US6M2 在性能和应用方面表现出色,是一款值得推荐的产品。

US6M2GTR参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V,20V
最大功率耗散 1W
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 1.5A,4.5V,390mΩ@ 1A,4.5V
Vgs-栅源极电压 4.5V,4.5V
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 80pF@ 10V,150pF@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 1mA,2V@ 1mA
FET类型 2N+2P沟道
Id-连续漏极电流 1.5A,1A
栅极电荷 2.2nC@ 4.5V,2.1nC@ 4.5V
配置
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

US6M2GTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

US6M2GTR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM US6M2GTR US6M2GTR数据手册

US6M2GTR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.242 ¥ 10.4949
10+ $ 0.7682 ¥ 6.4913
100+ $ 0.4807 ¥ 4.0619
500+ $ 0.364 ¥ 3.0755
1000+ $ 0.3294 ¥ 2.7834
3000+ $ 0.283 ¥ 2.391
6000+ $ 0.2562 ¥ 2.1649
库存: 8867
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 10.49
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336