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HP8KA1TB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 3W 20V 2.5V@10mA 24nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 5mΩ@ 14A,10V 14A 2.55nF@15V HSOP-8 贴片安装 5.8mm*5mm*1.1mm
供应商型号: CSJ-ST61225058
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) HP8KA1TB

HP8KA1TB概述


    产品简介


    HP8KA1 是一款 30V Nch+Nch 功率 MOSFET,主要用于电源管理和负载开关等应用。它具有低导通电阻和高可靠性的特点,适用于 LiB 充电和放电开关等电路中。

    技术参数


    - 漏源电压(VDSS):30V
    - 连续漏极电流(ID):14A
    - 脉冲漏极电流(IDP):28A
    - 栅源电压(VGSS):±20V
    - 功率耗散(PD):3W
    - 结温(Tj):150℃
    - 存储温度范围(Tstg):-55至+150℃
    - 热阻(RthJA):41℃/W(典型值)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:典型值为 3.5mΩ(VGS=10V),确保低损耗运行。
    2. 无铅焊接:符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。
    3. 无卤素:符合绿色环保标准,适合各种应用场合。
    4. 高可靠性:具备出色的抗静电能力和高温环境下的稳定性。

    应用案例和使用建议


    HP8KA1 广泛应用于电源管理和负载开关等电路中,例如 LiB 电池充电和放电开关。在设计时需要注意以下几点:
    - 散热管理:由于功率耗散较大,需要良好的散热措施以避免过热。
    - 环境适应性:在极端温度环境下使用时,要确保其处于规定的温度范围内。
    - 应用实例:在笔记本电脑、移动设备等小型电子产品中使用,能够有效提升电源效率。

    兼容性和支持


    HP8KA1 采用标准 HSOP8 封装,易于集成到现有电路中。制造商提供详细的技术支持文档和售后服务,包括使用指南、安装说明及常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 过热保护:
    - 问题:在长时间高负荷工作下,芯片温度过高。
    - 解决方案:增加外部散热片或采用强制风冷。
    2. 导通电阻异常:
    - 问题:导通电阻明显高于预期。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保 VGS 达到阈值电压。

    总结和推荐


    综上所述,HP8KA1 具备优秀的电气特性和稳定的性能,适用于多种电源管理应用。其低导通电阻和高可靠性使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在需要高性能电源管理的场景中使用此款 MOSFET。

HP8KA1TB参数

参数
Id-连续漏极电流 14A
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 3W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.55nF@15V
通道数量 2
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@10mA
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 24nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 14A,10V
长*宽*高 5.8mm*5mm*1.1mm
通用封装 HSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

HP8KA1TB厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

HP8KA1TB数据手册

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HP8KA1TB封装设计

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