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QH8KB5TCR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: ROHM N沟道增强型MOS管 QH8KB5系列, Vds=40 V, 4.5 A, TSMT-8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 2352664
供应商: 海外现货
标准整包数: 25
ROHM 场效应管(MOSFET) QH8KB5TCR

QH8KB5TCR概述

    QH8KB5 40V Nch+Nch Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    QH8KB5 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻和小尺寸表面贴装封装。它适用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他需要高效率和快速开关的应用。QH8KB5 主要用于工业控制、汽车电子、通信设备及消费电子产品等领域。

    技术参数


    以下是 QH8KB5 的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 40 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | ±7.5 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDP | ±18 | A |
    | 门极-源极电压 | VGSS | ±20 | V |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | 4.5 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1.6 | mJ |
    | 功率耗散(总) | PD | 1.5 | W |
    | 功率耗散(带热阻) | PD | 1.1 | W |
    | 结温 | Tj | 150 | ℃ |
    | 工作结温和存储温度范围 | Tstg | -55 to +150| ℃ |
    | 热阻(结-环境) | RthJA | - | 83.3 / 113 | ℃/W |
    | 导通电阻(门极电压 10V) | RDS(on) | 34~44 | mΩ |
    | 导通电阻(门极电压 4.5V) | RDS(on) | 44~74 | mΩ |

    产品特点和优势


    QH8KB5 具有以下独特功能和优势:
    1. 低导通电阻:RDS(on) 最低可达 34mΩ,有效降低功耗,提高系统效率。
    2. 小尺寸封装:采用 TSMT8 封装,适用于高密度电路板设计。
    3. 无铅电镀,符合 RoHS 标准:环保材料,符合现代电子产品标准。
    4. 无卤素:减少对环境的影响,适合绿色电子产品设计。

    应用案例和使用建议


    QH8KB5 可广泛应用于各类电子设备中,例如开关电源、逆变器和电机驱动等。在设计时,可以考虑如下使用建议:
    1. 散热管理:考虑到热阻为 83.3℃/W 和 113℃/W,合理设计散热路径以保证散热效果。
    2. 驱动电路:使用合适的栅极驱动电路,避免由于过高的 VGS 导致 MOSFET 损坏。
    3. 电路布局:确保 MOSFET 和其他元件之间有足够的距离,防止电磁干扰和过热。

    兼容性和支持


    QH8KB5 兼容现有的表面贴装工艺,可与标准的 PCB 材料和设备配合使用。制造商提供详尽的技术支持和文档资料,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 在高温环境下容易损坏。
    解决方法:确保工作环境温度不超过最大额定值,同时进行有效的散热设计。
    2. 问题:栅极电压不稳定导致 MOSFET 无法正常工作。
    解决方法:检查并调整栅极驱动电路,确保稳定的 VGS。
    3. 问题:高频开关应用中出现过大的寄生电容效应。
    解决方法:优化电路布局,减小寄生电容对性能的影响。

    总结和推荐


    QH8KB5 是一款高性能、高可靠性的 N沟道功率 MOSFET,适用于多种应用场合。其低导通电阻、小尺寸封装以及环保特性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用中使用 QH8KB5。
    综上所述,QH8KB5 无疑是一款值得选择的产品,无论是对于初学者还是专业人士,它都能提供可靠的性能支持和良好的用户体验。

QH8KB5TCR参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 150pF@20V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 4.5A
栅极电荷 3.5nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 44mΩ@ 4.5A,10V
最大功率耗散 1.5W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
通用封装 TSMT-8
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

QH8KB5TCR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QH8KB5TCR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QH8KB5TCR QH8KB5TCR数据手册

QH8KB5TCR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 5.5582
50+ ¥ 4.279
100+ ¥ 4.1157
250+ ¥ 3.9578
1000+ ¥ 3.8866
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