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HIP6603BCBZ

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 20ns 2 10.8V 30ns 13.2V Non-Inverting MOSFET,N沟道 20ns 半桥 SOIC-8 贴片安装
供应商型号: CY-HIP6603BCBZ
供应商: Avnet
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 HIP6603BCBZ

HIP6603BCBZ概述


    产品简介


    HIP6601B、HIP6603B 和 HIP6604B 是高频率双 MOSFET 驱动器,专门设计用于同步整流降压转换器中的两个功率 N 沟道 MOSFET 的驱动。这些驱动器与 HIP63xx 或 ISL65xx 系列多相降压 PWM 控制器及 MOSFET 一起使用,可以形成适用于高级微处理器的核心电压调节解决方案。

    技术参数


    - 电源电压范围(VCC): 12V ±10%
    - 最高工作结温: 125°C
    - 绝对最大额定值:
    - 供应电压(VCC): 15V
    - 供应电压(PVCC): VCC + 0.3V
    - BOOT 电压 (VBOOT - VPHASE): 15V
    - 输入电压(VPWM): GND - 0.3V 至 7V
    - UGATE 最大脉冲宽度: 400ns
    - 输出上升时间:
    - UGATE: <20ns
    - LGATE: <50ns
    - 传播延迟:
    - UGATE 关断延迟: <30ns
    - LGATE 关断延迟: <20ns
    - 最大电源电流:
    - HIP6601B: 6.2mA
    - HIP6603B: 3.6mA

    产品特点和优势


    1. 适应性强: 支持灵活的栅极驱动电压,可以在 5V 到 12V 范围内选择合适的驱动电压。
    2. 高效开关: 可以高效地切换高达 2MHz 的功率 MOSFET。
    3. 内置自举装置: 简单添加一个外部电容即可完成自举电路。
    4. 防穿通保护: 内置自适应穿通保护电路,防止上下 MOSFET 同时导通。
    5. 三态输入: 增加了一个关闭窗口到 PWM 输入,提高了系统稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:HIP6601B、HIP6603B 和 HIP6604B 主要应用于核心电压供电系统,如 Intel Pentium® III 和 AMD® Athlon™ 微处理器。此外,它们也适用于高频低轮廓 DC/DC 转换器和高电流低电压 DC/DC 转换器。
    使用建议:
    1. 电源电压的选择: 在使用过程中需确保 VCC 和 PVCC 电压在规定范围内,避免因电压过高导致器件损坏。
    2. 电容器的选择: 选择合适的自举电容器值,如 QGATE 计算公式所示,以保证系统的稳定运行。
    3. 降低振铃: 在高密度设计中,可考虑增加电阻以减少 BOOT 和 PHASE 节点的振铃现象。

    兼容性和支持


    这些驱动器支持多种封装形式,包括 8 引脚 SOIC、EPSOIC 和 16 引脚 QFN。Intersil 提供详细的技术支持和维护文档,如有需要可联系技术支持中心或访问官方网站获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 系统在启动后无法正常工作。
    - 解决方案: 检查 VCC 电压是否在规定范围内,确认 PWM 信号输入正确。
    2. 问题: 系统工作过程中温度过高。
    - 解决方案: 确保散热良好,遵守推荐的热管理策略,如使用合适的散热片或风扇。
    3. 问题: 输出波形不理想。
    - 解决方案: 检查外部电容和电阻值是否符合要求,重新调整自举电容和自举电阻的值。

    总结和推荐


    总体而言,HIP6601B、HIP6603B 和 HIP6604B 在多种应用场合下表现出色,特别是针对高性能微处理器的核心电压供电系统。这些驱动器提供了高度的灵活性、快速的开关速度和可靠的防穿通保护。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用场景中使用这些驱动器。

HIP6603BCBZ参数

参数
下降时间 20ns
最大工作供电电压 13.2V
驱动配置 半桥
逻辑电压 - VIL,VIH -
最小工作供电电压 10.8V
输入类型 Non-Inverting
最大传播延迟时间 30ns
通道类型 -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) -
上升时间 20ns
驱动数量 2
最大高压侧电压-自举 15
栅极类型 MOSFET,N沟道
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 商业级
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,管装

HIP6603BCBZ厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

HIP6603BCBZ数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 RENESAS ELECTRONICS HIP6603BCBZ HIP6603BCBZ数据手册

HIP6603BCBZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8697 ¥ 7.4836
300+ $ 0.8617 ¥ 7.4162
500+ $ 0.8537 ¥ 7.3488
1000+ $ 0.8298 ¥ 7.0117
5000+ $ 0.8298 ¥ 7.0117
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