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ISL6620CRZ-T

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 8ns 2 4.5V 40ns 5.5V Non-Inverting MOSFET,N沟道 8ns 半桥 2A,2A DFN-EP-10 贴片安装,黏合安装 3mm(长度)*3mm(宽度)
供应商型号: CY-ISL6620CRZ-T
供应商:
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 ISL6620CRZ-T

ISL6620CRZ-T概述

    # ISL6620 和 ISL6620A 同步整流降压 MOSFET 驱动器技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    ISL6620 和 ISL6620A 是高频率 MOSFET 驱动器,专为驱动上桥和下桥功率 N 沟道 MOSFET 设计,适用于同步整流降压转换器拓扑结构。这些驱动器支持 VR11.1 控制器协议,可以与 Intersil VR11.1 控制器配合使用,形成完整的内核电压调节解决方案,广泛应用于先进的微处理器中。
    主要功能
    - 支持 PSI 模式下的二极管仿真操作。
    - 高速上升/下降时间(<10ns)。
    - 自适应防交叉传导保护。
    - 具备启停和三态操作模式。
    应用领域
    - 高效核心电压调节器。
    - 高电流 DC/DC 转换器。
    - 高频高效 VRM 和 VRD 应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 供电电压 (VCC) | -0.3 | 5 | 7 | V |
    | 输入电压 (VEN, VPWM) | -0.3 | - | VCC+0.3| V |
    | 工作温度范围 | -40 +125 | °C |
    | 输出电流能力 | 2 4 | A |
    | 上桥驱动源阻抗 | 1 1 | Ω |
    | 下桥驱动沉电流能力 | 2 4 | A |
    | 传播延迟时间(上桥开) | 23 40 | ns |
    | 传播延迟时间(下桥关) | 18 25 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 高性能设计:具备自适应防交叉传导保护和快速上升/下降时间,确保高效率运行。
    - 成本优化:内部集成低正向压降二极管实现自举功能,减少电路复杂度和成本。
    - 轻载效率提升:通过二极管仿真模式显著提高轻载情况下的工作效率。
    - 适应性强:支持 VR11.1 协议的 PSI 模式和三态操作,适配多种控制器。
    - 封装优化:采用薄型无引脚封装(DFN),提供更好的 PCB 效率和散热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - ISL6620 和 ISL6620A 在 VR11.1 控制器的应用中表现卓越,例如用于服务器和工作站的高性能内核电压调节器。
    - 在高频 DC/DC 转换器中,该产品表现出优异的切换性能和稳定性。
    使用建议
    - 为了达到最佳效率,在轻负载条件下启用二极管仿真模式。
    - 确保外接电容容量选择合理以防止过冲,并保证电源电压稳定。
    - 配合高性能 N 沟道 MOSFET 使用,最大化利用其低导通电阻特性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 支持 VR11.1 控制器协议。
    - 与其他标准 N 沟道 MOSFET 完全兼容。
    厂商支持
    - 提供详细的技术文档和支持服务,涵盖热管理、补偿网络设计等方面。
    - 拥有完善的测试环境和验证流程,确保产品质量。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 供电电压异常导致驱动失效 | 检查供电电压是否符合要求(4.25V 至 7V)。 |
    | 传输延迟过大 | 调整外部 MOSFET 的门极电荷和驱动电流。 |
    | 温度过高 | 改善 PCB 散热设计,增加散热片面积。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    ISL6620 和 ISL6620A 集成了先进的 MOSFET 驱动技术和多种创新功能,适合高性能和高效率的电力电子应用。其出色的轻载效率和快速响应能力使其在市场上具有显著竞争力。
    推荐使用
    强烈推荐用于需要高可靠性、高效率和紧凑设计的电力电子系统中。特别是在 VRM 和 VRD 领域,这些驱动器能够满足苛刻的工作条件和性能需求。

    希望以上内容能为您提供详尽的信息!如需进一步讨论,请随时联系技术支持团队。

ISL6620CRZ-T参数

参数
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 2A,2A
驱动配置 半桥
最大高压侧电压-自举 36V
驱动数量 2
逻辑电压 - VIL,VIH -
通道类型 -
上升时间 8ns
下降时间 8ns
最大传播延迟时间 40ns
栅极类型 MOSFET,N沟道
输入类型 Non-Inverting
最大工作供电电压 5.5V
最小工作供电电压 4.5V
长*宽*高 3mm(长度)*3mm(宽度)
通用封装 DFN-EP-10
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ISL6620CRZ-T厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

ISL6620CRZ-T数据手册

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ISL6620CRZ-T封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.2045 ¥ 10.2694
100+ $ 1.1828 ¥ 10.1777
300+ $ 1.1719 ¥ 10.0861
500+ $ 1.1611 ¥ 9.9944
1000+ $ 1.1285 ¥ 9.5359
5000+ $ 1.1285 ¥ 9.5359
库存: 474125
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