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HIP6603BCB

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 20ns 2 10.8V 30ns 13.2V Non-Inverting MOSFET,N沟道 20ns 半桥 SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.5mm
供应商型号: Q-HIP6603BCB
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 HIP6603BCB

HIP6603BCB概述

    # HIP6601B, HIP6603B, HIP6604B Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers 技术手册解析

    产品简介


    HIP6601B、HIP6603B 和 HIP6604B 是一款专为高频率同步整流降压转换器设计的双通道 MOSFET 驱动器。这些驱动器与 HIP63xx 或 ISL65xx 系列多相降压 PWM 控制器及 MOSFET 配合使用,可形成完整的内核电压调节解决方案,适用于先进的微处理器(如 Intel Pentium® III 和 AMD Athlon™)。它们的核心功能在于高效驱动两颗 N-Channel MOSFET,广泛应用于高频低轮廓 DC/DC 转换器以及大电流低电压 DC/DC 转换器。

    技术参数


    以下是产品的主要技术规格和性能参数:
    主要规格:
    - 驱动电压范围:下管驱动固定为 12V;上管驱动范围为 5V 至 12V。
    - 驱动频率:高达 2 MHz。
    - 输出负载电容:3000 pF。
    - 传播延迟时间:下管 30 ns,上管 50 ns。
    - 封装形式:SOIC-8、EPSOIC-8 和 QFN-16。

    工作环境:
    - 工作温度范围:0°C 至 +85°C。
    - 最大存储温度范围:-65°C 至 +150°C。

    产品特点和优势


    1. 驱动电压灵活性:提供上下管独立或统一驱动电压,优化开关损耗与导通损耗之间的平衡。
    2. 快速响应:具备极快的上升时间(< 30 ns)和下降时间(< 20 ns),实现高效开关。
    3. 集成化设计:内部包含自举电路和防短路保护(Adaptive Shoot-Through Protection),降低设计复杂度。
    4. 封装小巧:QFN 封装可提供接近芯片级的尺寸,提升 PCB 设计效率并减小整体厚度。
    5. 环保特性:无铅(RoHS 合规),满足现代电子产品环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 内核电压供应:用于 Intel Pentium® III 和 AMD Athlon™ 微处理器。
    - 高频低轮廓 DC/DC 转换器:在空间受限的环境中提供高效的电源管理。
    - 大电流低电压转换器:适合需要稳定电压输出的应用场景。
    使用建议
    1. 上管自举电容选择:根据公式 \( C{BOOT} = \frac{Q{GATE}}{\Delta V{BOOT}} \) 计算所需电容值,确保满足设计需求。
    2. 抑制振铃现象:在必要情况下,增加上管电阻以减少 BOOT 和 PHASE 节点的峰值振铃,典型值为 2Ω 至 10Ω。
    3. 避免过热:注意监控驱动器功耗,确保不超过最大允许温度 (+125°C),避免因过载导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:产品可与 HIP63xx 或 ISL65xx 系列控制器无缝配合,形成完整的电源管理解决方案。
    - 技术支持:Intersil 提供详细的参考设计和技术支持,帮助用户快速实现产品开发。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 上管驱动电压过高或过低 | 检查 PVCC 输入电压是否在 5V 至 12V 范围内。 |
    | 输出信号波形异常 | 检查外接电容、电阻值是否符合设计要求。 |
    | 驱动器过热 | 降低输入功率,或改进散热设计。 |

    总结和推荐


    HIP6601B、HIP6603B 和 HIP6604B 提供了卓越的性能和灵活的设计选项,特别适合高频低电压电源管理系统。其核心优势包括高效的驱动能力、快速的响应速度以及强大的防短路保护机制。综合评估后,这款产品在高要求的工业和消费类电子应用中表现优异,强烈推荐用于新设计。

    通过上述技术解析,我们希望为您提供一份详尽的产品概览,帮助您更好地理解和应用 HIP6601B、HIP6603B 和 HIP6604B 驱动器。如有进一步问题,欢迎联系技术支持获取详细指导。

HIP6603BCB参数

参数
输入类型 Non-Inverting
下降时间 20ns
最大传播延迟时间 30ns
最大高压侧电压-自举 -
栅极类型 MOSFET,N沟道
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) -
驱动数量 2
逻辑电压 - VIL,VIH -
通道类型 -
上升时间 20ns
最大工作供电电压 13.2V
驱动配置 半桥
最小工作供电电压 10.8V
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
包装方式 管装

HIP6603BCB厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

HIP6603BCB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 RENESAS ELECTRONICS HIP6603BCB HIP6603BCB数据手册

HIP6603BCB封装设计

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