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HAT2173H-EL-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30W(Tc) 20V 6V@20mA 61nC@ 10 V 1个N沟道 100V 15mΩ@ 12.5A,10V 25A 4.35nF@10V LFPAK-5 贴片安装 4.9mm(长度)*3.95mm(宽度)
供应商型号: HAT2173H-EL-E
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) HAT2173H-EL-E

HAT2173H-EL-E概述

    HAT2173H 硅N沟道功率MOSFET

    产品简介


    HAT2173H 是一种高性能硅N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高密度安装而设计。该产品具备快速开关能力、低导通电阻(RDS(on))、支持8V栅极驱动,适用于电源转换、电机控制、LED驱动及汽车电子等多个领域。其紧凑的设计和优良的电气性能使其成为现代电力电子系统不可或缺的一部分。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | 漏源击穿电压 | — | 100 | — | V | ID = 10 mA, VGS = 0 |
    | 栅源击穿电压 | ±20 | — | ±20 | V | IG = ±100 µA, VDS = 0 |
    | 零栅电压漏电流 | — | 1 | — | µA | VDS = 100 V, VGS = 0 |
    | 导通电阻 | — | 12 | 15 | mΩ | ID = 12.5 A, VGS = 10 V |
    | 前向转移导纳 | 27 | 45 | — | S | ID = 12.5 A, VDS = 10 V |
    | 输入电容 | — | 4350 | — | pF | VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz |
    | 输出电容 | — | 520 | — | pF | VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz |
    | 反向传输电容 | — | 150 | — | pF | VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz |
    | 栅电荷 | — | 61 | — | nC | VDD = 50 V, VGS = 10 V, ID = 25 A |

    产品特点和优势


    HAT2173H 功率MOSFET拥有如下显著特点和优势:
    - 高速开关能力:能够在高频应用中实现高效能开关。
    - 低导通电阻:典型值为12mΩ(在VGS=10V时),使得器件在导通状态下损耗极低,有助于提高系统的整体效率。
    - 支持8V栅极驱动:允许更广泛的驱动电压选择,提高了设计灵活性。
    - 低驱动电流:进一步减少功耗并提升系统整体效能。
    - 高密度封装:适合现代电路板设计要求,便于集成到各类紧凑空间内。

    应用案例和使用建议


    HAT2173H 在多种应用场景中表现优异,如电源适配器、通信基站、电机驱动等。以电源适配器为例,在输出整流电路中采用HAT2173H,可以有效降低输出电压纹波,提升效率。使用建议包括:
    - 散热设计:确保良好的热管理措施,如加装散热片或使用热管散热器。
    - 驱动电路:优化驱动电路设计,减小驱动损耗,提高系统效率。

    兼容性和支持


    HAT2173H 与多种主流电子元器件和系统具有良好的兼容性,可广泛应用于计算机、办公设备、通讯设备、测试和测量设备、音频视频设备、家庭电器、机床等领域。如有任何疑问或技术支持需求,用户可以通过官方渠道联系 Renesas 销售办公室获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的驱动电压?
    - A: HAT2173H 支持8V栅极驱动电压,可以根据具体应用需求选择合适的驱动电压。

    2. Q:如何优化热管理设计?
    - A: 加装散热片或采用水冷方式来降低芯片温度,避免过热导致损坏。

    3. Q:如何确认最佳工作环境?
    - A: 在应用前务必查阅数据手册中的绝对最大额定值,确保工作环境符合标准。

    总结和推荐


    总体而言,HAT2173H是一款性能卓越、应用广泛的功率MOSFET产品,具备高速开关、低导通电阻、高密度封装等特点。对于追求高效率、紧凑设计的应用场景来说,它是一个非常值得推荐的选择。同时,用户需注意安全操作指南,避免不当使用带来的风险。通过合理的电路设计和适当的热管理措施,可以充分发挥其潜力,满足各种高性能电力电子系统的需求。

HAT2173H-EL-E参数

参数
Id-连续漏极电流 25A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.35nF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@20mA
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 12.5A,10V
栅极电荷 61nC@ 10 V
配置 -
最大功率耗散 30W(Tc)
长*宽*高 4.9mm(长度)*3.95mm(宽度)
通用封装 LFPAK-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

HAT2173H-EL-E厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

HAT2173H-EL-E数据手册

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HAT2173H-EL-E封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 35.3125
10+ ¥ 33.335
100+ ¥ 32.205
500+ ¥ 31.075
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