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NP75N04YUK-E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W(Ta),138W(Tc) 20V 4V@ 250µA 87nC@ 10 V 1个N沟道 40V 3.3mΩ@ 38A,10V 75A 5.1nF@25V HSON-8 贴片安装
供应商型号: 559-NP75N04YUK-E1-AYTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NP75N04YUK-E1-AY

NP75N04YUK-E1-AY概述


    产品简介


    NP75N04YUK 是一款专为高电流开关应用设计的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此产品适用于汽车领域,经过 AEC-Q101 认证,确保其在恶劣环境下也能稳定工作。NP75N04YUK 的设计旨在提供卓越的电流处理能力和出色的热管理能力,使其成为高性能电源管理和电机控制的理想选择。

    技术参数


    电气特性:
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): 40 V
    - 栅源电压 \(V{GSS}\): ±20 V
    - 漏极连续电流 \(I{D(DC)}\): ±75 A
    - 漏极脉冲电流 \(I{D(pulse)}\): ±300 A
    - 总功率耗散 \(P{T1}\): 138 W (在 \(TC = 25^\circ C\) 条件下)
    - 总功率耗散 \(P{T2}\): 1.0 W (在 \(TA = 25^\circ C\) 条件下)
    - 栅极至源极阈值电压 \(V{GS(th)}\): 2.0~4.0 V (典型值 3.0 V)
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): 最大值 3.3 mΩ (在 \(V{GS} = 10 \text{V}, ID = 38 \text{A}\) 下)
    封装与包装:
    - 尺寸: 8-pin HSON
    - 包装: Taping (E1/E2 type)
    - 重量: 0.128 g

    产品特点和优势


    - 超级低导通电阻:最大 \(R{DS(on)} = 3.3 \text{mΩ}\),确保高效能开关操作。
    - 非逻辑级驱动类型:适用于各种驱动电路设计。
    - 汽车认证:通过 AEC-Q101 认证,适合在苛刻环境下使用。
    - 高可靠性:经过严格的测试,确保在高温和高压条件下依然可靠运行。
    - 低温度系数:温度对导通电阻的影响小,适用于多种环境条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车应用:电机控制、电源转换器、逆变器等。
    - 工业应用:电池充电器、UPS 系统、电焊机等。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意散热问题,特别是在大电流应用中。
    - 为了保证安全运行,建议使用外部保护电路来防止过压和过流。
    - 选择合适的栅极驱动器以优化开关时间和降低损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NP75N04YUK 可与其他标准 N 沟道 MOSFET 设备兼容。
    - 支持:提供详尽的技术文档和专业工程师支持。如需更多技术支持,请联系当地销售办事处。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:开启时间较长。
    - 解决方案:确保栅极驱动电压足够高,降低栅极电容。

    - 问题:开关损耗较大。
    - 解决方案:优化驱动电路,减少栅极电荷。

    总结和推荐


    总结:
    NP75N04YUK 是一款性能优越的 N 沟道功率 MOSFET,具有超级低导通电阻和优秀的热管理能力。它特别适用于汽车和工业领域的高电流开关应用。
    推荐:
    鉴于其出色的技术参数和广泛的应用场景,NP75N04YUK 是需要高效、可靠电力控制解决方案的系统的理想选择。强烈推荐使用此产品以获得最佳性能和长期稳定性。

NP75N04YUK-E1-AY参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.1nF@25V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1W(Ta),138W(Tc)
Id-连续漏极电流 75A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 38A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
栅极电荷 87nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通用封装 HSON-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NP75N04YUK-E1-AY厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NP75N04YUK-E1-AY数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS NP75N04YUK-E1-AY NP75N04YUK-E1-AY数据手册

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