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uPA2754GR-E2-A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2W 12V 1.5V@1mA 25nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 14.5mΩ@ 5.5A,4.5V 11A 1.94nF@10V PSOP-8 贴片安装 5.37mm*4.4mm*1.44mm
供应商型号: CSJ-ST34229368
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) uPA2754GR-E2-A

uPA2754GR-E2-A概述


    产品简介


    µPA2754GR MOS Field Effect Transistor(MOSFET)
    µPA2754GR 是一种双通道N沟道功率MOSFET,专为锂离子电池保护电路和电源管理应用设计。这款MOSFET具备低导通电阻和小巧表面贴装封装,非常适合需要高效率和小体积的应用场景。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压:±12 V
    - 漏极-源极电压:30 V
    - 漏极电流(连续):±11 A
    - 漏极电流(脉冲):±88 A
    - 总功耗(两单元):2.0 W
    - 单元总功耗:1.7 W
    - 最大结温:150 °C
    - 存储温度范围:−55 °C 到 +150 °C
    - 单次雪崩电流:11 A
    - 单次雪崩能量:12.1 mJ
    - 电气特性:
    - 零栅极电压漏极电流:IDSS ≤ 1 µA (VDS = 30 V)
    - 栅极泄漏电流:IGSS ≤ ±10 µA (VGS = ±12 V, VDS = 0 V)
    - 栅极截止电压:VGS(off) = 0.5 ~ 1.5 V
    - 前向转移导纳:|yfs| = 8 ~ 16 S
    - 源-漏导通电阻:RDS(on)1 = 14.5 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 5.5 A)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 在不同驱动电压下表现出较低的导通电阻,确保高效电力传输。
    - 小巧的表面贴装封装:适合紧凑型设计,提供出色的灵活性和可扩展性。
    - 内置栅极-源极保护二极管:防止静电放电,提高可靠性。
    - 低输入电容:Ciss = 1940 pF,减少开关损耗,提升整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    µPA2754GR 广泛应用于锂离子电池保护电路和电源管理系统,尤其适用于笔记本电脑、智能手机和其他便携式电子设备。它还可以用于需要高可靠性的工业控制系统中。
    使用建议
    - 在实际应用中,若预期会施加超过额定电压的电压,需外接额外保护电路。
    - 确保负载合理匹配,避免过载导致器件损坏。
    - 设计时考虑散热问题,特别是在高电流应用场景中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:µPA2754GR 与多种其他电子元器件和系统兼容,特别适合用于计算机、通讯设备、测试测量仪器等领域。
    - 技术支持:制造商提供详细的使用指南和技术支持,用户可以通过官方网站获取更多帮助和资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定实际工作条件下的最大功耗?
    - 解决方案:参照数据手册中的功率耗散图,根据工作环境温度选择合适的封装以确保安全运行。
    2. 问题:如果需要更高的电流处理能力,怎么办?
    - 解决方案:在需要更高电流处理能力的情况下,考虑并联多个 µPA2754GR 或者选用更高规格的产品。

    总结和推荐


    µPA2754GR 以其低导通电阻、高可靠性和紧凑的设计成为市场上颇具竞争力的N沟道功率MOSFET。它不仅适合锂离子电池保护电路,还广泛应用于多种需要高效率和高可靠的场合。推荐用户在相关应用场景中采用此产品,以获得最佳的性能表现和系统稳定性。

uPA2754GR-E2-A参数

参数
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 14.5mΩ@ 5.5A,4.5V
配置
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.94nF@10V
栅极电荷 25nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 2W
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
长*宽*高 5.37mm*4.4mm*1.44mm
通用封装 PSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

uPA2754GR-E2-A厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

uPA2754GR-E2-A数据手册

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