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2SJ598-Z-E1-AZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W 20V 15nC@ 10V 60V 130mΩ@ 10V 720pF@ 10V
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) 2SJ598-Z-E1-AZ

2SJ598-Z-E1-AZ概述


    产品简介


    《2SJ598 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR》是一款专为电磁阀、电机驱动和灯泡驱动设计的P沟道功率MOS场效应晶体管。它主要应用于各种电子设备中,如计算机、通信设备、工业机器人等场合。

    技术参数


    2SJ598的关键技术参数如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 零栅压漏电流 | -10 μA |
    | 栅极泄漏电流 -10 | μA |
    | 栅极关断电压 | -1.5 | -2.0 | -2.5 | V |
    | 正向转移电导 | 5 | 11 S |
    | 漏源通态电阻(VGS=-10V) 130 | 190 | mΩ |
    | 输入电容 | 720 pF |
    | 输出电容 150 | pF |
    | 反向转移电容 50 | pF |
    | 开启延时时间 | 7 ns |
    | 上升时间 | 4 ns |
    | 关闭延时时间 | 35 ns |
    | 下降时间 10 | ns |
    | 总栅电荷 | 15 nC |
    | 栅源电荷 | 3 nC |
    | 栅漏电荷 | 4 nC |
    | 二极管正向电压 | 0.98 V |
    | 反向恢复时间 | 50 ns |
    | 反向恢复电荷 | 100 nC |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:2SJ598的导通电阻RDS(on)典型值仅为130mΩ(在VGS = -10V, ID = -6A条件下),并且具有出色的低栅极泄漏电流性能。
    - 快速开关特性:快速的开启和关闭时间(分别为7ns和10ns),使其在高频应用中表现出色。
    - 内置保护二极管:具备保护内部电路免受过电压损害的能力。
    - 多样化的封装选项:提供TO-251和TO-252两种封装形式,适应不同的安装需求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:2SJ598 MOSFET被广泛用于控制电磁阀、电机和灯泡驱动等应用。例如,在一台家用空调的控制系统中,2SJ598可以作为电机控制开关使用。
    - 使用建议:考虑到产品的高可靠性,建议在安装过程中采用适当的散热措施以避免过热问题。此外,确保所有连接稳固,避免因振动导致接触不良。

    兼容性和支持


    - 该产品与标准电源系统和信号接口完全兼容。
    - 如需技术支持或维修服务,可以通过访问Renesas Electronics的官方网站或联系当地销售代表获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机后设备无法正常启动 | 确认所有连接点无松动,并检查是否有短路情况。若问题仍然存在,可能需要更换新的MOSFET。 |
    | 设备运行过程中出现过热现象 | 增加散热片或改进冷却系统,确保设备运行环境温度低于绝对最大值。 |
    | 漏电流过高 | 确认是否连接正确,以及是否有外部干扰因素影响。 |

    总结和推荐


    综上所述,2SJ598 MOSFET凭借其卓越的性能指标和高度的可靠性,非常适合于需要高频率和低损耗操作的应用场合。对于任何涉及电机驱动和电磁阀控制的设计项目,推荐使用此款MOSFET。无论是在开发阶段还是长期使用过程中,其广泛的兼容性和良好的支持体系都将为您提供坚实的支持。

2SJ598-Z-E1-AZ参数

参数
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 15nC@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 720pF@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 1W
FET类型 -
应用等级 工业级

2SJ598-Z-E1-AZ厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

2SJ598-Z-E1-AZ数据手册

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