处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK3385-Z-E1-AZ

2SK3385-Z-E1-AZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W 20V 30nC@ 10V 60V 28mΩ@ 10V 1.5nF@ 10V
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) 2SK3385-Z-E1-AZ

2SK3385-Z-E1-AZ概述

    # 2SK3385 N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    2SK3385 是一种专为高电流开关应用设计的 N-沟道功率 MOS 场效应晶体管(MOSFET)。它属于高可靠性器件,在工业、消费电子及汽车电子等领域具有广泛应用。
    主要功能与应用领域
    1. 功能:主要用于高频开关电路中,能够实现高效能电能转换与控制。
    2. 应用领域:
    - 工业自动化设备
    - 汽车电子系统
    - 高频逆变电源
    - LED 照明驱动电路
    - 其他需要高性能开关特性的场合

    技术参数


    以下是根据技术手册中提取的关键技术参数:
    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 栅极漏电流 | -10 | - | 10 | μA |
    | 栅极切断电压 | 1.5 | 2.0 | 2.5 | V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 22 | 28 | 45 | mΩ |
    | 输入电容 Ciss | - | 1500 | - | pF |
    | 输出电容 Coss | - | 250 | - | pF |
    | 开关时间 td(on)| - | 22 | - | ns |
    | 关断时间 td(off)| - | 77 | - | ns |
    极限参数:
    - 栅源电压范围:±20 V
    - 漏极电流(连续):±30 A
    - 单脉冲峰值电流:±100 A
    - 最高结温:150 ℃

    产品特点和优势


    特点
    1. 低导通电阻:典型值为 28 mΩ (VGS=10 V),能够显著降低导通损耗。
    2. 高速开关能力:开关时间为纳秒级,适合高频应用。
    3. 集成保护二极管:内置栅极保护二极管,提高了系统的可靠性。
    4. 封装多样化:提供 TO-251 和 TO-252 封装形式,方便客户选择。
    优势
    - 低功耗:由于 RDS(on) 的低值,能有效减少发热和能量损耗。
    - 耐高温能力:最高工作温度可达 150 ℃,适合恶劣工作环境。
    - 快速响应:优异的开关速度,可减少系统延迟并提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 汽车电子:用于汽车的 DC-DC 转换器,确保车辆稳定供电。
    2. 工业电源:作为高频逆变电源中的关键组件,提高电源效率。
    3. LED 照明:用作开关器件,控制 LED 的电流稳定性。
    使用建议
    1. 优化散热设计:建议采用高效的散热器,以应对可能的热累积问题。
    2. 正确设置驱动电路:确保栅极驱动电压在 10 V 以上,以达到最佳导通状态。
    3. 避免超限运行:避免长时间工作于最大电流和电压条件下,以免影响使用寿命。

    兼容性和支持


    兼容性
    2SK3385 可与多种主流控制器芯片兼容,广泛应用于工业控制系统中。
    支持
    - 厂商支持:可以通过 Renesas 官方网站或客服热线获取技术支持。
    - 文档更新:建议随时关注 Renesas 官网发布的最新技术文档,以获取最新规格和升级信息。

    常见问题与解决方案


    问题 1:导通电阻偏高
    原因:可能因工作温度过高导致。
    解决方案:优化散热设计,确保工作温度不超过额定范围。
    问题 2:开关时间异常
    原因:可能是栅极驱动信号不足。
    解决方案:增加驱动电压至推荐值以上,并检查外围电路接线是否正常。
    问题 3:过流保护失效
    原因:过大的浪涌电流导致器件损坏。
    解决方案:在设计中加入外部过流保护电路,如保险丝或限流电阻。

    总结和推荐


    综合评估
    2SK3385 是一款优秀的 N-沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和高速开关能力。特别适用于高频率、高功率的应用场景。
    推荐结论
    强烈推荐使用 2SK3385 于高频开关电源、工业控制及其他需要高性能 MOSFET 的领域。同时,建议结合具体应用需求进行优化设计,以充分发挥其性能优势。
    如有进一步疑问,请联系 Renesas 官方技术支持团队,获取更详细的技术指导和支持。

2SK3385-Z-E1-AZ参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.5nF@ 10V
最大功率耗散 1W
栅极电荷 30nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V

2SK3385-Z-E1-AZ厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

2SK3385-Z-E1-AZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS 2SK3385-Z-E1-AZ 2SK3385-Z-E1-AZ数据手册

2SK3385-Z-E1-AZ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336