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NP100P04PLG-E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.8W(Ta),200W(Tc) 20V 2.5V@1mA 320nC@ 10 V 1个P沟道 40V 3.7mΩ@ 50A,10V 100A 15.1nF@10V TO-263 贴片安装 10mm*9.15mm*4.45mm
供应商型号: NP100P04PLG-E1-AY
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NP100P04PLG-E1-AY

NP100P04PLG-E1-AY概述

    NP100P04PLG 技术手册

    产品简介


    NP100P04PLG 是一款专为高电流开关应用设计的P沟道功率MOS场效应晶体管(MOSFET),特别适用于汽车电子系统。这款器件凭借其卓越的性能和可靠性,在多种应用场合下表现优异,是现代电子系统不可或缺的组件之一。

    技术参数


    基本参数:
    - 漏源电压:VDSS = -40 V
    - 栅源电压:VGSS = ±20 V
    - 最大漏极电流(直流):ID(DC) = ±100 A
    - 最大脉冲漏极电流:ID(pulse) = ±300 A(脉宽 ≤ 10 μs,占空比 ≤ 1%)
    - 总功耗(Tc = 25°C):PT1 = 200 W
    - 总功耗(Ta = 25°C):PT2 = 1.8 W
    - 结温:Tch = 175 °C
    - 存储温度范围:Tstg = -55 to 175 °C
    电气特性:
    - 零栅压漏极电流:IDSS ≤ -10 μA(VDS = -40 V, VGS = 0 V)
    - 栅漏泄漏电流:IGSS ≤ 10 μA(VGS = ±20 V, VDS = 0 V)
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = -1.0 to -2.5 V(VDS = -10 V, ID = -1 mA)
    - 输入电容:Ciss = 15100 pF(VDS = -10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    关键性能:
    - 导通电阻:RDS(on) = 3.7 mΩ(VGS = -10 V, ID = -50 A)
    - 导通电阻:RDS(on) = 5.1 mΩ(VGS = -4.5 V, ID = -50 A)
    - 开启延迟时间:td(on) = 38 ns(VDD = -20 V, ID = -50 A, VGS = -10 V, RG = 0 Ω)
    - 关断延迟时间:td(off) = 300 ns(VDD = -20 V, ID = -50 A, VGS = -10 V, RG = 0 Ω)

    产品特点和优势


    1. 超低导通电阻:RDS(on) = 3.7 mΩ (VGS = -10 V, ID = -50 A),确保了极低的损耗。
    2. 低输入电容:Ciss = 15100 pF,有助于降低高频开关时的功率损耗。
    3. 内置栅保护二极管:提高设备的稳定性和安全性。
    4. AEC-Q101 认证:符合汽车行业标准,可靠性和稳定性得到验证。
    5. 无铅封装:环保且安全,符合RoHS要求。

    应用案例和使用建议


    NP100P04PLG 可广泛应用于汽车电子系统中,例如电动机控制、电池管理系统等。根据手册中的描述,这款器件可以用于电动汽车和混合动力汽车中,作为高电流开关器件使用。以下是一些建议:
    1. 电路设计:确保所有外部元件(如电阻、电容)的选择与NP100P04PLG 的特性匹配,特别是输入电容的选择要合理,以减少开关损耗。
    2. 热管理:由于器件具有较高的总功耗(特别是在高温条件下),建议采取有效的散热措施,如使用散热片或强制风冷。

    兼容性和支持


    NP100P04PLG 采用TO-263封装,与市面上多数类似的P沟道MOSFET兼容。厂商提供了详细的技术支持和售后保障,确保用户能够顺利应用此器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确连接栅极?
    解决方法:确保栅极引脚与驱动电路正确连接,避免静电放电对栅极氧化层造成损害。
    2. 问题:散热不良会导致什么后果?
    解决方法:增加散热器面积,保证良好的气流流通,确保结温不超过175°C。
    3. 问题:如何防止器件过载?
    解决方法:在电路设计中添加适当的保护措施,如熔断器、过流保护等。

    总结和推荐


    NP100P04PLG 是一款高性能、高可靠性的P沟道功率MOSFET,尤其适用于汽车电子系统。其超低导通电阻和内置栅保护二极管使其成为同类产品中的佼佼者。强烈推荐在汽车电子和其他高电流开关应用中使用该器件,能够显著提升系统的性能和可靠性。

NP100P04PLG-E1-AY参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 15.1nF@10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 50A,10V
最大功率耗散 1.8W(Ta),200W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 320nC@ 10 V
通道数量 -
长*宽*高 10mm*9.15mm*4.45mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NP100P04PLG-E1-AY厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NP100P04PLG-E1-AY数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS NP100P04PLG-E1-AY NP100P04PLG-E1-AY数据手册

NP100P04PLG-E1-AY封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 28.2704
500+ ¥ 27.8069
1000+ ¥ 27.3435
5000+ ¥ 26.88
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起订量: 100 增量: 0
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最小起订量为:100
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