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2SK3715-AZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2W 20V 145nC@ 10V 60V 6mΩ@ 10V 8.4nF@ 10V TO-220 通孔安装 10mm*4.5mm*15mm
供应商型号: 2SK3715-AZ
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) 2SK3715-AZ

2SK3715-AZ概述


    产品简介


    MOS场效应晶体管 2SK3715
    产品类型: N沟道功率MOS场效应晶体管
    主要功能: 高电流开关应用
    应用领域: 本产品适用于计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、音频和视频设备、家用电器、机床、个人电子产品和工业机器人等领域。

    技术参数


    | 参数 | 规格 | 备注 |
    |
    | 漏极-源极电压 (VDSS) | 60 V | VGS=0 V |
    | 栅极-源极电压 (VGSS) | ±20 V | VDS=0 V |
    | 漏极电流 (ID(DC)) | ±75 A | TC=25°C |
    | 脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | ±300 A | PW≤10 μs, Duty Cycle≤1% |
    | 总功耗 (TC=25°C) | 40 W | PT1 |
    | 总功耗 (TA=25°C) | 2.0 W | PT2 |
    | 单一雪崩电流 (IAS) | 67 A | Tch=25°C, VDD=30 V |
    | 单一雪崩能量 (EAS) | 450 mJ | Tch=25°C, VDD=30 V |

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻: 最大为6.0毫欧(VGS=10 V, ID=38 A),使得在高电流应用中具有卓越的能效表现。
    - 低输入电容: Ciss=8400 pF,有利于提高开关速度和降低功耗。
    - 内置栅极保护二极管: 可有效防止静电放电(ESD)对栅极的影响。
    - 高可靠性: 能够承受高达67 A的单一雪崩电流,确保产品在极端条件下的稳定性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 该产品适用于开关电源、电机驱动、LED照明等需要高电流开关控制的应用场合。
    - 使用建议: 在设计电路时,建议使用外部保护电路以防止过压情况。同时,合理选择栅极电阻(如25 Ω)以优化开关时间和减少功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与标准的TO-220封装兼容,可轻松集成到现有的电路设计中。
    - 支持和维护: 如有任何疑问或技术支持需求,可以通过官方网站或销售办公室联系Renesas Electronics获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高漏极电流导致器件损坏 | 确保使用合适的限流电阻,并检查负载状况。 |
    | 开关时间较长 | 优化栅极电阻值(如25 Ω),以加快开关速度。 |
    | 静电放电引起失效 | 安装额外的ESD保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS)。|

    总结和推荐


    2SK3715 MOS场效应晶体管凭借其超低导通电阻和高可靠性,成为高电流开关应用的理想选择。适用于广泛的行业领域,如计算机、通信设备、家电等。尽管在使用过程中需注意过载和ESD防护,但通过合理的电路设计和外部保护措施,可以充分发挥其性能优势。强烈推荐在高电流开关应用中使用此产品,以获得最佳的能效和可靠性表现。

2SK3715-AZ参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.4nF@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 2W
栅极电荷 145nC@ 10V
通道数量 -
长*宽*高 10mm*4.5mm*15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装

2SK3715-AZ厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

2SK3715-AZ数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS 2SK3715-AZ 2SK3715-AZ数据手册

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