处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK2480-AZ

2SK2480-AZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 900V 4Ω
供应商型号: CSJ-ST24102246
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) 2SK2480-AZ

2SK2480-AZ概述

    2SK2480 N-Channel MOS Field Effect Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    2SK2480 是一款由 Renesas Electronics 制造的 N-Channel MOS 场效应晶体管(MOSFET),特别设计用于高电压开关应用。这类晶体管广泛应用于工业设备中,例如计算机、办公设备、通信设备、音频及视频设备、家庭电器等。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 900 V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±30 V
    - 漏极电流(直流)\( ID(DC) \): ±3.0 A
    - 漏极电流(脉冲)\( ID(pulse) \): ±12 A
    - 总功率耗散(Tc = 25°C): PT1 35 W
    - 总功率耗散(TA = 25°C): PT2 2.0 W
    - 结温 \( T{ch} \): 150 °C
    - 存储温度 \( T{stg} \): -55 至 +150 °C
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 3.0 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 37.1 mJ
    - 电气特性:
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 3.2 至 4.0 Ω (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)
    - 栅源截止电压 \( V{GS(off)} \): 2.5 至 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
    - 前向转移导纳 \( |y{fs}| \): 1.0 S (VDS = 20 V, ID = 2.0 A)
    - 栅源漏电电流 \( I{GSS} \): ±100 nA (VGS = ±30 V, VDS = 0)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 900 pF (VDS = 10 V)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:导通电阻 \( R{DS(on)} \) 仅为 4.0 Ω (VGS = 10 V, ID = 2.0 A),确保高效的功率传输。
    - 高雪崩能力:单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \) 达到 3.0 A,雪崩能量 \( E{AS} \) 为 37.1 mJ,使得晶体管具有出色的可靠性和耐用性。
    - 隔离式 TO-220 封装:提供优异的散热性能和抗干扰能力,适用于各种工业环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于各类高电压开关电路,如通信设备中的电源管理、音频和视频系统的开关控制等。
    - 使用建议:
    - 确保栅极驱动信号的正确施加,以避免栅极过压和损坏。
    - 在高负载情况下使用时,注意散热设计,确保结温不超过额定值。
    - 根据具体应用选择合适的质量等级,标准质量等级适用于大多数工业用途。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SK2480 与现有的电源管理系统和其他高电压开关电路兼容。
    - 支持和服务:如有任何疑问或需要技术支持,可通过 [Renesas Electronics 官方网站](http://www.renesas.com) 联系销售办事处。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅极过压导致晶体管损坏。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路,确保栅源电压 \( V{GSS} \) 不超过 ±30 V。
    - 问题:长时间高电流工作导致过热。
    - 解决方案:增加散热片或使用散热器,确保良好的热管理。

    7. 总结和推荐


    2SK2480 MOSFET 是一款高性能的 N-Channel MOS 场效应晶体管,具备低导通电阻和高雪崩能力,适用于高电压开关应用。在严格的设计规范下,它能提供可靠的性能并适用于广泛的工业应用。我们推荐在高电压开关和电源管理电路中使用此晶体管,以实现高效、可靠的性能。

2SK2480-AZ参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 900V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
包装方式 散装

2SK2480-AZ厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

2SK2480-AZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS 2SK2480-AZ 2SK2480-AZ数据手册

2SK2480-AZ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.609 ¥ 5.1582
库存: 63316
起订量: 82 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336