处理中...

首页  >  产品百科  >  NP75N04YUG -E1-AY

NP75N04YUG -E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W(Ta),138W(Tc) 20V 4V@ 250µA 116nC@ 10 V 1个N沟道 40V 4.8mΩ@ 37.5A,10V 75A 6.45nF@25V HSON-8 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NP75N04YUG -E1-AY

NP75N04YUG -E1-AY概述

    NP75N04YUG MOS Field Effect Transistor

    1. 产品简介


    NP75N04YUG 是一款专为高电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管(MOSFET)。它以其低导通电阻和紧凑的小型封装(8针HSON)而著称,适用于各种汽车和工业应用。

    2. 技术参数


    NP75N04YUG 的关键技术参数如下:
    - 最大漏源电压:\( V{DSS} \) = 40 V
    - 最大栅源电压:\( V{GSS} \) = ±20 V
    - 最大持续漏电流:\( ID(DC) \) = ±75 A
    - 最大脉冲漏电流:\( ID(pulse) \) = ±225 A
    - 总功耗(TA = 25°C):\( PT2 \) = 1.0 W
    - 栅源阈值电压:\( V{GS(th)} \) = 2.0 ~ 4.0 V (VDS = VGS, ID = 250 μA)
    - 零栅压漏电流:\( I{DSS} \) ≤ 1 μA (VDS = 40 V, VGS = 0 V)
    - 导通电阻:\( R{DS(on)} \) = 3.8 ~ 4.8 mΩ (VGS = 10 V, ID = 37.5 A)
    - 输入电容:\( C{iss} \) = 4300 pF (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
    - 输出电容:\( C{oss} \) = 400 pF (VGS = 0 V, VDS = 0 V)
    - 反向转移电容:\( C{rss} \) = 250 pF (f = 1 MHz)

    3. 产品特点和优势


    NP75N04YUG 的主要特点是低导通电阻(\( R{DS(on)} \) = 4.8 mΩ),这使得其在大电流开关应用中具有很高的效率。此外,它的低栅泄漏电流(\( I{GSS} \) = ±100 nA)和高可靠性(AEC-Q101认证)使其非常适合于汽车和工业领域。其小型化封装(8针HSON)也有助于节省空间和简化设计。

    4. 应用案例和使用建议


    NP75N04YUG 主要用于汽车电子和工业控制等领域。例如,在电动汽车充电系统中,它可以用作电源转换器的关键部件。在实际应用中,建议遵循以下几点以获得最佳性能:
    - 温度管理:确保在高电流条件下设备不会过热,合理选择散热措施。
    - 静电防护:在安装过程中采取必要的静电防护措施,防止静电损坏设备。

    5. 兼容性和支持


    NP75N04YUG 采用标准的8针HSON封装,易于与其他电子元件集成。厂商提供了详细的技术文档和客户支持,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,它通过了AEC-Q101认证,表明其具有高度可靠性和广泛的兼容性。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及相应的解决办法:
    - Q: 设备温度过高怎么办?
    - A: 确保良好的散热设计,可以使用散热片或风扇进行辅助降温。
    - Q: 静电损坏如何预防?
    - A: 在处理设备时使用防静电手套和工作台垫,确保设备接地。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NP75N04YUG 是一款高性能的N沟道MOSFET,尤其适合高电流开关应用。其低导通电阻、高可靠性和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在高电流应用场合使用此产品。

NP75N04YUG -E1-AY参数

参数
Id-连续漏极电流 75A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 116nC@ 10 V
最大功率耗散 1W(Ta),138W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.45nF@25V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.8mΩ@ 37.5A,10V
通用封装 HSON-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NP75N04YUG -E1-AY厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NP75N04YUG -E1-AY数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS NP75N04YUG -E1-AY NP75N04YUG -E1-AY数据手册

NP75N04YUG -E1-AY封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336