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NP15P06SLG-E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Renesas Electronics P沟道MOS管, Vds=60 V, 15 A, MP-3ZK (TO-252)封装, 表面贴装
供应商型号: 3941836
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NP15P06SLG-E1-AY

NP15P06SLG-E1-AY概述

    NP15P06SLG 技术手册解析

    1. 产品简介


    NP15P06SLG 是一款适用于高电流开关应用的P沟道MOS场效应晶体管(Power MOSFET),专为汽车应用设计并已通过AEC-Q101认证。此款MOSFET具备极低的导通电阻和较低的输入电容,能够有效提高系统效率并减少热耗散,特别适合于电动汽车、混合动力汽车以及其他需要高性能电力控制的场合。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \):\(-60\) V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \):\(\pm 20\) V
    - 持续漏电流 \( I{D(DC)} \):\(\pm 15\) A
    - 脉冲漏电流 \( I{D(pulse)} \):\(\pm 45\) A(注意1)
    - 总功耗 \( PT1 \):30 W(\( Tc = 25^\circ C \))
    - 总功耗 \( PT2 \):1.2 W(\( Ta = 25^\circ C \))
    - 渠道温度 \( T{ch} \):\( 175^\circ C \)
    - 存储温度 \( T{stg} \):\(-55\) 至 \( 175^\circ C \)
    - 电气特性(\( Ta = 25^\circ C \)):
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \):\(-10 \mu A \)(\( V{DS} = -60 V, V{GS} = 0 V \))
    - 栅泄漏电流 \( I{GSS} \):\(\leq 10 \mu A \)(\( V{GS} = \pm 20 V, V{DS} = 0 V \))
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):\(-1.0 \sim -2.5 V \)(\( V{DS} = V{GS}, ID = -250 \mu A \))
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):\(\leq 56 \)至 \( 70 m\Omega \)(\( V{GS} = -10 V, ID = -7.5 A \))
    - 输入电容 \( C{iss} \):\( 1100 \) pF(\( V{DS} = -10 V, V{GS} = 0 V \))

    3. 产品特点和优势


    - 超低导通电阻:最大 \( R{DS(on)} = 70 m\Omega \)(\( V{GS} = -10 V, ID = -7.5 A \))
    - 低输入电容:\( C{iss} = 1100 \) pF(典型值)
    - 内置栅保护二极管
    - 适用于汽车应用,并通过AEC-Q101认证
    - 无铅(Lead-free):不含铅的外部电极

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电动汽车:适用于电池管理系统中的高功率转换。
    - 混合动力汽车:用于电机控制和电源管理。
    - 工业机器人:用于驱动电机和控制系统。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应确保电路中没有强静电,以避免对栅氧化层造成损坏。采用适当的防静电措施是必要的。
    - 在设计电路时,应考虑其散热特性,尤其是在高负载情况下,需提供足够的散热措施以保证长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NP15P06SLG 适用于大多数标准汽车级电路设计。其封装为 MP-3ZK(TO-252)封装,便于安装。
    - 支持:Renesas Electronics 提供详细的技术文档和产品支持。如有任何疑问或技术支持需求,请联系官方销售办事处。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅泄漏电流过大
    - 解决方案:检查电路中是否有过多的电压偏移或短路现象。如果问题持续存在,可能需要更换该组件。
    - 问题:发热过高
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇。同时确保电路设计合理,避免过高的电流负荷。

    7. 总结和推荐


    总体评价:
    NP15P06SLG 具备极低的导通电阻和优秀的电气特性,使其成为汽车应用的理想选择。其独特的设计特点和优异的性能表现使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐使用:
    鉴于 NP15P06SLG 的高性能和广泛的适用范围,强烈推荐在汽车及其他需要高可靠性电力控制的应用中使用此款 MOSFET。在使用过程中,请务必遵循厂商的指导和安全措施,确保产品能长期稳定运行。

NP15P06SLG-E1-AY参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 7.5A,10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@10V
Id-连续漏极电流 15A
最大功率耗散 1.2W(Ta),30W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 23nC@ 10 V
长*宽*高 6.5mm*6.1mm*2.3mm
通用封装 MP-3ZK,TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NP15P06SLG-E1-AY厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NP15P06SLG-E1-AY数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS NP15P06SLG-E1-AY NP15P06SLG-E1-AY数据手册

NP15P06SLG-E1-AY封装设计

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