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NP100P04PDG-E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Renesas Electronics P沟道MOS管, Vds=40 V, 100 A, 表面贴装
供应商型号: ET-3941835
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NP100P04PDG-E1-AY

NP100P04PDG-E1-AY概述

    NP100P04PDG 技术手册概述

    产品简介


    NP100P04PDG 是一款适用于高电流开关应用的P通道功率MOS场效应晶体管(P-channel MOS FET)。主要应用于汽车领域,是一款专为高可靠性要求设计的产品。这款器件采用先进的技术制造,确保其在极端环境下的稳定性和高效能表现。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = -40 V
    - 最大栅极电压:VGSS = ±20 V
    - 连续漏极电流:ID(DC) ≤ 100 A
    - 脉冲漏极电流:ID(pulse) ≤ 300 A
    - 总耗散功率(Ta = 25°C):PT2 = 1.8 W
    - 热阻抗(通态到外壳):Rth(ch-c) = 0.75 °C/W
    - 热阻抗(通态到环境):Rth(ch-a) = 83.3 °C/W
    - 击穿电压(单次雪崩电流):IAS = 74 A
    - 击穿能量(单次雪崩能量):EAS = 550 mJ
    - 零门电压漏极电流:IDSS = -10 μA
    - 输入电容:Ciss = 15100 pF
    - 导通电阻(VGS = -10 V, ID = -50 A):RDS(on)1 = 2.8 mΩ
    - 导通电阻(VGS = -4.5 V, ID = -50 A):RDS(on)2 = 3.4 mΩ

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)1 最大为 2.8 mΩ(VGS = -10 V, ID = -50 A),RDS(on)2 最大为 3.4 mΩ(VGS = -4.5 V, ID = -50 A),这是其核心优势之一。
    - 低输入电容:Ciss = 15100 pF,有助于提高电路的开关速度。
    - 高可靠性:通过了AEC-Q101认证,适用于汽车应用。
    - 无铅:环保设计,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    NP100P04PDG 广泛应用于汽车系统,如电源管理和电机控制。为了保证其最佳性能,在实际应用中需要注意以下几点:
    - 确保安装时散热良好,避免过热。
    - 使用适当的驱动电路,以减少损耗并提高效率。
    - 适当增加PCB布局时的接地层,以降低噪声干扰。

    兼容性和支持


    NP100P04PDG 与现有的大多数汽车电子系统兼容,其封装为MP-25ZP (TO-263),可以轻松集成到现有设计中。制造商提供详细的技术支持,包括应用指南和故障排除文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q:在什么情况下会触发过热保护?
    - A:当芯片温度达到或超过175°C时。需要采取措施保证良好的散热,例如增加散热片或改进电路设计。

    - Q:如何测试漏极电流和电压?
    - A:使用万用表和示波器进行测量,确保连接正确且仪器设置合适。

    总结和推荐


    NP100P04PDG 在汽车领域的应用具有显著的优势,特别是在高电流开关应用中。其低导通电阻和低输入电容使其成为电源管理系统的理想选择。尽管价格相对较高,但由于其卓越的性能和高可靠性,我们强烈推荐此产品用于汽车电子系统的开发。总之,这款产品在技术和市场上的表现非常出色,值得推荐。

NP100P04PDG-E1-AY参数

参数
最大功率耗散 1.8W(Ta),200W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 320nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 15.1nF@10V
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
长*宽*高 10mm*9.15mm*4.45mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NP100P04PDG-E1-AY厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NP100P04PDG-E1-AY数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS NP100P04PDG-E1-AY NP100P04PDG-E1-AY数据手册

NP100P04PDG-E1-AY封装设计

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