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2SK1958-T1-A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 150mW(Ta) 7V 1.1V@ 10µA 1个N沟道 16V 12Ω@ 10mA,4V 100mA 10pF@3V MMPAK-8 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: CSJ-ST36774594
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) 2SK1958-T1-A

2SK1958-T1-A概述

    2SK1958 MOS Field Effect Transistor 技术手册解析

    产品简介


    2SK1958 是一款由瑞萨电子(原NEC电子)生产的N沟道垂直型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-channel Vertical MOSFET)。这种晶体管以其低驱动电压(1.5V)和高输入阻抗而著称,适用于便携式低电流系统,例如耳机立体声设备和摄像机。该晶体管通过仅需微弱的驱动电压即可实现高效控制,极大地简化了电路设计。

    技术参数


    2SK1958 的关键技术和性能参数如下所示:
    - 额定电压:漏源电压 VDSS = 16 V;栅源电压 VGSS = ±7.0 V。
    - 电流参数:连续漏极电流 ID(DC) = ±0.1 A;脉冲漏极电流 ID(pulse) = ±0.2 A。
    - 功耗:总功耗 PT = 150 mW;通道温度 Tch = 150 °C。
    - 环境温度:存储温度范围 Tstg = –55 到 +150 °C。
    - 电阻:不同驱动电压下的导通电阻分别为:
    - VGS = 1.5 V 时,RDS(on)1 = 20-50 Ω;
    - VGS = 2.5 V 时,RDS(on)2 = 7-15 Ω;
    - VGS = 4.0 V 时,RDS(on)3 = 5-12 Ω。
    - 电容特性:输入电容 Ciss = 10 pF;输出电容 Coss = 13 pF;反向转移电容 Crss = 3 pF。
    - 开关特性:开启延迟时间 td(on) = 15 ns;上升时间 tr = 70 ns;关闭延迟时间 td(off) = 100 ns;下降时间 tf = 110 ns。

    产品特点和优势


    2SK1958 拥有多个独特的功能和优势,使其在市场上具有较高的竞争力:
    - 低驱动电压:可以利用1.5V的电压进行驱动,非常适合低电压系统。
    - 高输入阻抗:不需要考虑驱动电流,从而简化了电路设计。
    - 减少外部组件:由于无需额外的偏置电阻,可以有效减少所需外部组件的数量,降低整体成本。

    应用案例和使用建议


    2SK1958 广泛应用于便携式音频设备和视频设备中,例如耳机立体声设备和摄像机。在这些应用场景中,晶体管能够通过低电压和低电流实现高效控制,提升系统的能效比和可靠性。使用建议方面,根据手册提供的开关特性,当设计开关电路时,需注意选择合适的门极驱动电阻值,以优化开关时间和减少能量损失。例如,为减少 td(on) 和 td(off) 时间,可以通过调整门极驱动电阻来加快开关速度。

    兼容性和支持


    2SK1958 与其他标准的电子元器件兼容性良好,适合用于各类便携式和低电流系统的集成。瑞萨电子公司提供详尽的技术支持,用户可通过其官方网站(http://www.renesas.com)联系销售办公室或技术支持团队获取更多信息。此外,产品还具备全面的质量保证措施和兼容性测试报告,确保其在不同环境下的可靠性和稳定性。

    常见问题与解决方案


    手册中提供了常见问题及其解决方案:
    - Q: 需要多少驱动电流?
    - A: 2SK1958 的高输入阻抗特性使得驱动电流几乎可以忽略不计。
    - Q: 最大额定电压是多少?
    - A: 额定漏源电压为 16V。
    - Q: 如何改善开关速度?
    - A: 可以通过调整门极驱动电阻来优化开关时间和减少能量损失。

    总结和推荐


    2SK1958 MOSFET凭借其高效的低电压驱动能力和简单的设计,在便携式音频和视频设备中表现出色。其优势在于高输入阻抗和低驱动电流需求,极大地简化了电路设计并减少了所需的外部组件数量。对于需要低功耗、高效能的应用场合,2SK1958是理想的选择。鉴于其广泛的应用范围和卓越的性能表现,我们强烈推荐使用2SK1958 MOSFET。

2SK1958-T1-A参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 10µA
最大功率耗散 150mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10pF@3V
Vds-漏源极击穿电压 16V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100mA
Rds(On)-漏源导通电阻 12Ω@ 10mA,4V
Vgs-栅源极电压 7V
通道数量 1
配置 独立式
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 MMPAK-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

2SK1958-T1-A厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

2SK1958-T1-A数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS 2SK1958-T1-A 2SK1958-T1-A数据手册

2SK1958-T1-A封装设计

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