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RJK2075DPA-00#J5A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 65W(Ta) 30V 38nC@ 10 V 1个N沟道 200V 69mΩ@ 10A,10V 20A 2.2nF@25V WPAK-8 贴片安装
供应商型号: 968-RJK2075DPA00J5A
供应商: Mouser
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RJK2075DPA-00#J5A

RJK2075DPA-00#J5A概述

    RJK2075DPA 200V - 20A MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    RJK2075DPA 是一种高性能的功率开关 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由瑞萨电子(Renesas)制造。该器件主要应用于高频率功率转换系统中,如开关电源、电机驱动和其他需要高速切换的场合。它具备低导通电阻、低泄漏电流和高切换速度等特性,使其成为多种工业应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术参数:
    - 电气特性
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): 200V
    - 栅源电压 \(V{GSS}\): ±30V
    - 漏极电流 \(ID\): 20A
    - 漏极峰值电流 \(I{D(pulse)}\): 40A
    - 体二极管反向漏电流 \(I{DR}\): 20A
    - 体二极管反向峰值漏电流 \(I{DR(pulse)}\): 40A
    - 雪崩电流 \(I{AP}\): 9A
    - 雪崩能量 \(E{AR}\): 5.4mJ
    - 漏极耗散功率 \(P{ch}\): 65W
    - 热阻 \(\theta{ch-c}\): 1.93°C/W
    - 静态特性
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): 0.054Ω (在 \(ID = 10A\), \(V{GS} = 10V\) 条件下)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 2200pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 200pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 75pF
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): 24ns
    - 上升时间 \(tr\): 33ns
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): 49ns
    - 下降时间 \(tf\): 34ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: RJK2075DPA 的导通电阻仅为 0.054Ω,这有助于降低功耗并提高效率。
    - 高开关速度: 快速的开关特性使其适用于高频应用。
    - 低泄漏电流: 减少了在非导通状态下的功耗。
    - 高可靠性: 最大安全操作区域 (MSOA) 和详细的绝对最大额定值表明其具有高可靠性和耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    RJK2075DPA 广泛应用于各种电力转换系统,如:
    - 开关电源: 利用其低导通电阻和高开关速度特性来减少损耗。
    - 电机驱动: 在电机控制电路中提高效率和响应速度。
    - 太阳能逆变器: 用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于其高热耗散功率(65W),需确保良好的散热设计,以避免过热。
    - 驱动电路设计: 使用合适的栅极电阻(如10Ω)可以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    RJK2075DPA 支持标准的封装和引脚排列,易于与其他电子元件配合使用。瑞萨电子提供详细的技术文档和全面的技术支持,帮助用户实现高效的设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的温度可能导致器件失效。
    - 解决方案: 设计合理的散热系统,并确保器件在规定的温度范围内运行。
    - 问题: 开关过程中出现振荡现象。
    - 解决方案: 优化栅极驱动电路,适当增加栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    总体来看,RJK2075DPA MOSFET 在导通电阻、开关速度和可靠性方面表现出色。其低导通电阻和高开关速度特性使其在高效率电力转换应用中具有显著优势。对于需要高速和高效率的场合,强烈推荐使用 RJK2075DPA。然而,使用时需注意散热设计和驱动电路优化,以确保最佳性能和稳定性。

RJK2075DPA-00#J5A参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.2nF@25V
栅极电荷 38nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 65W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 69mΩ@ 10A,10V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 WPAK-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

RJK2075DPA-00#J5A厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

RJK2075DPA-00#J5A数据手册

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RJK2075DPA-00#J5A封装设计

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1+ $ 3.22 ¥ 27.209
10+ $ 2.7025 ¥ 22.8361
25+ $ 2.442 ¥ 20.6349
100+ $ 2.052 ¥ 17.3394
250+ $ 1.944 ¥ 16.4268
500+ $ 1.8252 ¥ 15.4229
1000+ $ 1.5225 ¥ 12.8651
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