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2SJ555-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W 20V 60V 22mΩ@ 10V 4.1nF@ 10V TO-3P 通孔安装 15.6mm*4.8mm*18.9mm
供应商型号: J-RENE-0025935
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) 2SJ555-E

2SJ555-E概述


    产品简介


    2SJ555是一款硅P沟道MOS场效应晶体管(P Channel MOSFET),适用于高速功率开关应用。其主要功能包括低导通电阻、低驱动电流以及高开关速度,适用于计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、音频和视频设备、家用电子设备、机床、个人电子产品及工业机器人等多种领域。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS):-60V
    - 栅源电压 (VGSS):±20V
    - 漏极电流 (ID):-60A
    - 漏极峰值电流 (ID(pulse)):-240A
    - 转移二极管反向漏电流 (IDR):-60A
    - 雪崩电流 (IAP):-60A
    - 雪崩能量 (EAR):308mJ
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):-60V (ID = -10mA, VGS = 0)
    - 栅源击穿电压 (V(BR)GSS):±20V (IG = ±100μA, VDS = 0)
    - 零栅压漏电流 (IDSS):-10μA (VDS = -60V, VGS = 0)
    - 栅源漏电流 (IGSS):±10μA (VGS = ±16V, VDS = 0)
    - 栅源截止电压 (VGS(off)):-1.0V ~ -2.0V (ID = -1mA, VDS = -10V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.017Ω ~ 0.022Ω (ID = -30A, VGS = -10V)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为0.017Ω,有助于降低功耗并提高效率。
    - 低驱动电流:适合于需要减少驱动功率的应用。
    - 高速开关:能够在短时间内完成开关操作,适用于高频应用场合。
    - 良好的热性能:允许在高温环境下稳定运行,确保系统的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SJ555在高速逆变器、电源管理、LED驱动器等应用中表现良好。例如,在电源转换系统中,它的快速开关能力和低导通电阻可以显著提高能效。
    使用建议
    - 在设计电路时,考虑散热措施,避免因过热导致器件损坏。
    - 使用适当的滤波电容来减少开关过程中的电压瞬态影响。
    - 确保栅极驱动信号有足够的幅度和宽度,以保证可靠的开启和关闭。

    兼容性和支持


    2SJ555采用TO-3P封装,与多种电路板设计兼容。厂商提供了详细的技术文档和支持服务,用户可以通过访问官方网站获取最新的产品信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保2SJ555在极端温度下的稳定性?
    - 解决方案:遵循手册中的建议,注意最大额定值限制,特别是在高环境温度下使用时要采取额外的冷却措施。

    - 问题:在高压应用中,如何防止雪崩现象?
    - 解决方案:合理设置电路保护,如使用瞬态电压抑制器(TVS)或其他保护装置,以吸收潜在的高能脉冲。

    总结和推荐


    2SJ555凭借其出色的导通电阻、低驱动电流和高速开关能力,在众多应用领域中展现出强大的竞争力。对于需要高效能和高可靠性的应用来说,它是理想的选择。鉴于其优越的性能和广泛应用前景,强烈推荐将其用于相关电路设计中。然而,在使用前务必确认最新产品信息并与厂商联系,以确保满足具体需求。

2SJ555-E参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 125W
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.1nF@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
通道数量 -
长*宽*高 15.6mm*4.8mm*18.9mm
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装

2SJ555-E厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

2SJ555-E数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS 2SJ555-E 2SJ555-E数据手册

2SJ555-E封装设计

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