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NP88N075KUE-E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.8W(Ta),288W(Tc) 4V@ 250µA 230nC@ 10 V 1个N沟道 75V 8.5mΩ@ 44A,10V 12.3nF@25V TO-263 贴片安装
供应商型号: NP88N075KUE-E1-AY-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NP88N075KUE-E1-AY

NP88N075KUE-E1-AY概述

    # MOS Field Effect Transistor NP88N075EUE, NP88N075KUE, NP88N075CUE, NP88N075DUE, NP88N075MUE, NP88N075NUE

    产品简介


    基本介绍
    NP88N075EUE, NP88N075KUE, NP88N075CUE, NP88N075DUE, NP88N075MUE, NP88N075NUE 是一款高电流开关应用设计的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET)。这些器件具有超低的导通电阻(RDS(on)),非常适合用于需要高效开关操作的应用场合。
    主要功能
    - 高电流开关
    - 超低导通电阻(RDS(on))
    - 快速开关时间
    应用领域
    这些产品广泛应用于各类电子产品中,如计算机、办公设备、通信设备、测试和测量仪器、音频和视频设备、家用电器、机床、个人电子设备、工业机器人、汽车、列车、船舶等交通运输设备以及医疗设备等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VGS = 0 V):75 V
    - 栅源电压 (VDS = 0 V):±20 V
    - 漏极连续电流 (TC = 25°C):±88 A
    - 漏极脉冲电流:±352 A
    - 总功耗 (TC = 25°C):288 W
    - 总功耗 (TA = 25°C):1.8 W
    - 通道温度:175°C
    - 存储温度:−55到+175°C
    - 单次雪崩电流:69/88 A
    - 单次雪崩能量:450/14 mJ
    热阻抗
    - 通道到外壳热阻(Rth(ch-C)):0.52°C/W
    - 通道到环境热阻(Rth(ch-A)):83.3°C/W
    电气特性
    - 零栅压漏电流 (IDSS):10 μA (VDS = 75 V, VGS = 0 V)
    - 栅漏电流 (IGSS):±100 nA (VGS = ±20 V, VDS = 0 V)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 - 4.0 V (VDS = VGS, ID = 250 μA)
    - 前向传输导纳 (| yfs |):30 - 60 S (VDS = 10 V, ID = 44 A)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):6.2 - 8.5 mΩ (VGS = 10 V, ID = 44 A)
    - 输入电容 (Ciss):8200 - 12300 pF
    - 输出电容 (Coss):800 - 1200 pF
    - 反向传输电容 (Crss):440 - 800 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)):35 - 77 ns
    - 上升时间 (tr):28 - 70 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):105 - 210 ns
    - 下降时间 (tf):16 - 40 ns
    - 总栅极电荷 (QG):150 - 230 nC
    - 栅源电荷 (QGS):30 nC
    - 栅漏电荷 (QGD):52 nC
    - 二极管正向电压 (VF(S-D)):1.0 V (IF = 88 A, VGS = 0 V)
    - 反向恢复时间 (trr):80 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):240 nC (IF = 88 A, VGS = 0 V, di/dt = 100 A/μs)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 芯片温度175°C
    - 超低导通电阻(最大8.5 mΩ)
    - 低输入电容(典型值8200 pF)
    市场竞争力
    这些MOSFET的特点使其在许多高要求的应用中表现出色,特别是在需要高效率、低损耗的场合,例如电源管理和电机驱动。它们能够在各种环境条件下保持稳定性能,具有良好的散热设计和强大的电气特性,从而确保长期可靠的运行。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    这些产品广泛应用于高电流开关场合,如逆变器、直流-交流转换器、电源管理模块、电机驱动器等。例如,在电动汽车中作为主控单元的功率开关。
    使用建议
    为了充分发挥这些MOSFET的优势,在使用过程中应注意以下几点:
    - 环境条件:确保在规定的环境温度范围内使用。
    - 散热管理:选择合适的散热方式以避免过热。
    - 电路设计:注意外部电路设计,确保与现有系统兼容。
    - 安全措施:考虑使用保护电路,如瞬态抑制二极管(TVS)以防止电压尖峰。

    兼容性和支持


    兼容性
    这些MOSFET可以与其他标准电源管理组件(如驱动器IC)兼容使用。为了获得最佳性能,建议参考制造商提供的设计指南和推荐电路配置。
    厂商支持
    制造商提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括在线资源、应用笔记和技术支持热线。用户可以通过访问[Renesas Electronics网站](http://www.renesas.com)获取最新的产品信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题及解决方案
    1. 问题:产品在高温环境下出现不稳定现象。
    - 解决方案:确认使用环境温度在额定范围内,并确保良好的散热设计。
    2. 问题:开关时出现较大电流尖峰。
    - 解决方案:检查电路布局,特别是地线和电源线的设计,避免形成电感耦合。
    3. 问题:安装过程中产品损坏。
    - 解决方案:遵循正确的安装程序,并采取防静电措施。

    总结和推荐


    综合评估
    NP88N075EUE, NP88N075KUE, NP88N075CUE, NP88N075DUE, NP88N075MUE, NP88N075NUE 是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,适用于多种高电流开关应用。其超低导通电阻和优异的电气特性使得它们在各种高效率电力转换应用中表现出色。
    推荐使用
    我们强烈推荐这些产品用于需要高效开关操作的应用场合,如电源管理、电机驱动和其他高功率密度的应用。通过遵循制造商提供的指导和注意事项,用户可以最大限度地发挥这些MOSFET的优点。

NP88N075KUE-E1-AY参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5mΩ@ 44A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 1.8W(Ta),288W(Tc)
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 12.3nF@25V
栅极电荷 230nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 75V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NP88N075KUE-E1-AY厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NP88N075KUE-E1-AY数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS NP88N075KUE-E1-AY NP88N075KUE-E1-AY数据手册

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