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2SJ598-ZK-E1-AZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W(Ta),23W(Tc) 2.5V@1mA 15nC@ 10 V 1个P沟道 60V 130mΩ@ 6A,10V 12A 720pF@10V MP-3ZK,TO-252 贴片安装
供应商型号: 2SJ598-ZK-E1-AZ
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) 2SJ598-ZK-E1-AZ

2SJ598-ZK-E1-AZ概述

    2SJ598 P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    2SJ598 是一款P通道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),专门设计用于驱动电磁阀、电机和灯泡等应用。作为一款高性能的开关电源组件,它能够满足多种工业及消费电子设备的需求,是现代电力控制电路中的关键部件之一。

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册中提取的关键技术规格:
    | 参数 | 规格 |

    | 漏极至源极击穿电压 | VDSS:-60V |
    | 门极至源极电压 | VGSS:±20V |
    | 漏极电流(连续) | ID(DC):-12A |
    | 漏极电流(脉冲) | ID(pulse):-30A |
    | 总耗散功率 | PT:23W (TC = 25°C), 1.0W (TA = 25°C) |
    | 最大漏极温度 | Tch:150°C |
    | 存储温度 | Tstg:-55°C to +150°C |
    | 单次雪崩电流 | IAS:-12A |
    | 单次雪崩能量 | EAS:14.4mJ |
    其他电气特性包括低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)等。

    3. 产品特点和优势


    2SJ598的主要优势在于其出色的导通性能和可靠性,具体特点如下:
    - 低导通电阻:2SJ598具有非常低的导通电阻,确保较低的功耗。即使在较小的栅源电压(-4.0V)下,其最大导通电阻仅为190毫欧。
    - 低输入电容:低输入电容(Ciss)意味着更快的开关速度,这对于高频开关应用非常重要。
    - 集成保护二极管:内置的栅极保护二极管可以有效防止静电放电(ESD)对器件的损害。
    - 多种封装选择:提供TO-251和TO-252两种封装形式,便于灵活安装和使用。
    这些特点使得2SJ598成为许多高性能电源管理和电机控制应用的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    2SJ598主要应用于电磁阀、电机和照明系统等领域。例如,在汽车引擎控制系统中,它可以用于调节燃油喷射量;在家庭自动化设备中,可用于控制灯光亮度。使用建议包括:
    - 确保电源电压不超过额定值,以避免损坏器件。
    - 在设计时考虑到热管理措施,如散热片的使用,以提高稳定性。
    - 为应对极端情况,考虑外部过压保护电路的设计。

    5. 兼容性和支持


    2SJ598 与多种电路板和设备兼容,支持标准电子制造工艺。Renesas Electronics 提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指南、软件工具和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在使用过程中出现发热异常?
    - 解决方法:检查散热措施是否到位,确保器件在额定温度范围内运行。

    - 问题:无法达到预期的开关速度?
    - 解决方法:检查电路布局,确保线路尽可能短,减少寄生电感和电容的影响。

    7. 总结和推荐


    2SJ598 P-Channel MOSFET 是一款性能优异且多功能的半导体器件,适用于广泛的工业和消费电子应用。凭借其优秀的导通性能、低输入电容以及内置保护机制,使其成为众多电路设计的首选组件。综合其高性价比和广泛的应用范围,强烈推荐在相关项目中使用2SJ598。

2SJ598-ZK-E1-AZ参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 6A,10V
最大功率耗散 1W(Ta),23W(Tc)
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 720pF@10V
栅极电荷 15nC@ 10 V
配置 -
通用封装 MP-3ZK,TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,托盘

2SJ598-ZK-E1-AZ厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

2SJ598-ZK-E1-AZ数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS 2SJ598-ZK-E1-AZ 2SJ598-ZK-E1-AZ数据手册

2SJ598-ZK-E1-AZ封装设计

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