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2SK1775-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 60W(Tc) 30V 1个N沟道 900V 1.6Ω@ 4A,10V 8A 1.73nF@10V TO-3P 通孔安装
供应商型号: AV-S-REN2SK1775E
供应商: Avnet
标准整包数: 3240
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) 2SK1775-E

2SK1775-E概述

    硅N沟道MOSFET 2SK1775 技术手册

    产品简介


    硅N沟道MOSFET 2SK1775是一款高性能的功率开关器件,广泛应用于高频率电力切换场合。它具有低导通电阻、高速开关、低驱动电流等特点,适用于开关调节器、DC-DC转换器等多种应用场合。

    技术参数


    以下为2SK1775的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值(Ta=25℃)
    - 漏源电压(VDSS):900 V
    - 栅源电压(VGSS):±30 V
    - 漏极电流(ID):8 A
    - 脉冲漏极电流(ID(pulse)):20 A(PW ≤ 10 µs,duty cycle ≤ 1%)
    - 反向体二极管漏电流(IDR):8 A
    - 通道耗散功率(Pch):60 W
    - 通道温度(Tch):150 ℃
    - 存储温度(Tstg):-55到+150 ℃
    - 电气特性(Ta=25℃)
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):900 V
    - 栅源击穿电压(V(BR)GSS):±30 V
    - 栅源漏电流(IGSS):±10 μA
    - 零栅源漏电流(IDSS):250 μA
    - 栅源截止电压(VGS(off)):2.0 ~ 3.0 V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):1.2 ~ 1.6 Ω(ID = 4 A,VGS = 10 V)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:保证较低的损耗,提高效率。
    - 高速开关:适合高频应用,减少开关损耗。
    - 低驱动电流:减少驱动电路的需求,降低系统复杂度。
    - 无二次击穿:提高了器件的可靠性和稳定性。
    - 宽工作范围:适用于多种应用环境。

    应用案例和使用建议


    2SK1775 MOSFET广泛应用于各种电力变换设备中,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。具体使用时应注意以下几点:
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,避免过热。
    - 设计驱动电路时,应考虑其高速开关特性,选择合适的驱动方式以减少驱动损耗。
    - 在高压环境中使用时,注意保护措施,防止瞬时电压过高损坏器件。

    兼容性和支持


    2SK1775 MOSFET的设计符合行业标准,与市面上多数电路板和设备兼容。厂商提供全面的技术支持,包括安装指导、使用咨询等。客户可通过官方渠道获取更多帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保最佳工作温度?
    解答: 请根据产品手册提供的温度限制进行设计,采用适当的散热措施,确保器件工作在推荐的温度范围内。

    - 问题:在高压环境中使用时,需要注意哪些安全措施?
    解答: 使用高压时应特别注意绝缘和防静电措施,确保电路安全稳定运行。

    总结和推荐


    综上所述,2SK1775 MOSFET凭借其高效能、高可靠性以及广泛的适用范围,在电力变换和开关控制领域表现出色。强烈推荐用于需要高性能开关特性的应用场合。无论是开发人员还是最终用户,都能从中获得满意的性能表现和长期稳定的运行保障。

2SK1775-E参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.73nF@10V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 900V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω@ 4A,10V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 60W(Tc)
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

2SK1775-E厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

2SK1775-E数据手册

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2SK1775-E封装设计

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