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ISL2111BR4Z

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 9ns 2 8V 50ns 14V 1.4V,2.2V Non-Inverted-Phase MOSFET,N沟道 7.5ns 半桥 3A,4A DFN 贴片安装 4mm(长度)*4mm(宽度)
供应商型号: AV-S-ITSISL2111BR4Z
供应商: Avnet
标准整包数: 490
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 ISL2111BR4Z

ISL2111BR4Z概述

    ISL2110 和 ISL2111 高频半桥驱动器技术手册

    产品简介


    ISL2110 和 ISL2111 是由 Intersil 公司生产的高性能 N-通道功率 MOSFET 驱动集成电路。这些器件广泛应用于电信半桥直流到直流转换器、全桥直流到直流转换器、双开关前馈转换器和有源钳位前馈转换器等领域。此外,它们也可以用作音频放大器中的开关电源,确保高效率和高可靠性。

    技术参数


    以下是 ISL2110 和 ISL2111 的主要技术参数:
    - 额定电压范围:100V(峰值电流为 3A/4A)
    - 输入电压阈值:
    - ISL2110:低电平阈值 VIL = 3.5V 至 4.4V;高电平阈值 VIH = 6.6V 至 7.4V
    - ISL2111:低电平阈值 VIL = 1.2V 至 1.8V;高电平阈值 VIH = 1.8V 至 2.2V
    - 供电电压范围:8V 至 14V
    - 输出拉起/拉下电流:ISL2110 为 3A,ISL2111 为 4A
    - 传播延迟:典型值为 32 至 50 纳秒
    - 温湿度:工作温度范围 -40°C 至 +125°C,存储温度范围 -65°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    ISL2110 和 ISL2111 在设计上有多项独特的优势,具体包括:
    - 高输出电流:具备高达 3A/4A 的峰值输出电流,显著减少了开关损耗。
    - 扩展的操作范围:最低操作电压可以降至 8V,拓宽了适用范围。
    - 高可靠性:提供完善的过压保护和欠压锁定功能。
    - 紧凑封装:提供 SOIC、DFN 和 TDFN 多种封装选项,方便集成到不同尺寸的产品中。
    - 低功耗:在高频应用中保持较低的功耗。

    应用案例和使用建议


    ISL2110 和 ISL2111 主要应用于电信领域的半桥和全桥直流到直流转换器。此外,还可以用于两个开关前馈转换器和有源钳位前馈转换器。为了优化这些应用中的性能,以下是一些建议:
    - 在进行电路设计时,需要特别注意功率 MOSFET 的散热管理,尤其是在高负载条件下。
    - 考虑到其高电流输出能力,确保驱动器周围的 PCB 布局合理,以减少寄生电感。
    - 在高频应用中,应选择合适的电容值来平衡系统稳定性和响应速度。

    兼容性和支持


    ISL2110 和 ISL2111 支持多种封装形式,包括 SOIC、DFN 和 TDFN,这使得它们能够轻松集成到不同的硬件平台中。同时,Intersil 提供详尽的技术支持和文档资源,以便客户更好地理解和利用这些产品的特性。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何处理过压情况?
    - A: 使用 ISL2110 或 ISL2111 内置的过压保护功能,确保系统在出现过压情况下自动关闭,避免损坏。

    2. Q: 在多变的温度环境中,如何确保稳定的工作?
    - A: 根据提供的温度特性和温度范围数据,设计合适的热管理系统。例如,在高温环境下可增加散热片或使用高效散热材料。
    3. Q: 如何进行正确的初始化?
    - A: 确保电源正确连接,并且参考器件手册中的启动流程进行初始化。

    总结和推荐


    ISL2110 和 ISL2111 集成了高性能的 N-通道 MOSFET 驱动功能,适用于多种应用场合,特别是在高频和高压应用中表现尤为突出。其独特的设计特点使其在市场上具有强大的竞争力。对于那些需要高可靠性和高性能驱动的场合,强烈推荐使用 ISL2110 和 ISL2111。同时,Intersil 提供的一流技术支持和详尽的文档资源也使它们成为非常值得信赖的选择。

ISL2111BR4Z参数

参数
驱动数量 2
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 3A,4A
驱动配置 半桥
通道类型 -
最小工作供电电压 8V
输入类型 Non-Inverted-Phase
下降时间 7.5ns
栅极类型 MOSFET,N沟道
逻辑电压 - VIL,VIH 1.4V,2.2V
最大高压侧电压-自举 114
上升时间 9ns
最大传播延迟时间 50ns
最大工作供电电压 14V
长*宽*高 4mm(长度)*4mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘,管装

ISL2111BR4Z厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

ISL2111BR4Z数据手册

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ISL2111BR4Z封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
490+ $ 2.6949 ¥ 23.8495
1470+ $ 2.6708 ¥ 23.6365
库存: 1320
起订量: 490 增量: 490
交货地:
最小起订量为:490
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