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HIP2101IRZT

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 10ns 2 9V 43ns 14V 800mV,2.2V Non-Inverting MOSFET,N沟道 10ns 半桥 2A,2A QFN(EP) 贴片安装,黏合安装 5mm(长度)*5mm(宽度)
供应商型号: HIP2101IRZT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 6000
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 HIP2101IRZT

HIP2101IRZT概述

    HIP2101: 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver

    1. 产品简介


    HIP2101 是一款高频率、耐压100V的半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它具备全面兼容TTL/CMOS逻辑输入引脚的优势,这使其成为HIP2100的升级版本。低侧和高侧门极驱动器独立控制且匹配精度高达13ns,从而允许用户对特定电源电路拓扑进行精确的死区时间控制。此外,该IC具有欠压保护功能,当低侧和高侧供电电压低于阈值时,输出被强制为低电平。集成的箝位二极管消除了其他驱动IC所需的分立二极管。新型电平转换器结构在脉冲操作中提供了低功耗的好处,同时在直流操作中确保了安全性。特别的是,在高侧电源发生瞬时欠压时,高侧输出仍能恢复到正确状态。
    应用领域:
    - 电信半桥电源
    - 航空电子DC-DC转换器
    - 双开关正激变换器
    - 主动钳位正激变换器

    2. 技术参数


    - 封装选项:SOIC, EPSOIC, QFN, DFN
    - 封装标准:符合IPC-2221 100V导体间距指南
    - 无铅产品:符合RoHS标准
    - 最大泵源电压:114VDC
    - 集成1Ω泵源二极管
    - 快速传播时间:适用于多兆赫兹电路
    - 负载驱动能力:可驱动1000pF负载,上升和下降时间典型值为10ns
    - TTL/CMOS输入阈值:增加灵活性
    - 独立输入:适用于非半桥拓扑
    - 无启动问题
    - 不受供电干扰影响:高侧振铃低于地电平或高dv/dt斜率时输出不变
    - 低功耗
    - 宽供电范围
    - 供电欠压保护
    - 输出驱动电阻:3Ω
    - QFN/DFN封装标准:符合JEDEC PUB95 MO-220标准
    - QFN/DFN封装:近芯片级封装,提升PCB效率并更薄
    绝对最大额定值:
    - 供电电压:VDD, VHB-VHS:-0.3V至18V
    - LI和HI电压:-0.3V至7.0V
    - LO电压:-0.3V至VDD+0.3V
    - HO电压:VHS-0.3V至VHB+0.3V
    - HS电压(连续):-1V至110V
    - HB电压:+118V
    - 平均电流在VDD至HB二极管上:100mA
    - 最大热阻抗:SOIC(θJA):95°C/W;EPSOIC(θJA):40°C/W;QFN(θJA):37°C/W;DFN(θJA):40°C/W
    工作电流范围:
    - VDD静态电流:-0.3mA至0.45mA
    - VDD运行电流:-1.7mA至3.0mA
    - 总HB静态电流:-0.1mA至0.15mA
    - 总HB运行电流:-1.5mA至2.5mA

    3. 产品特点和优势


    HIP2101 驱动N沟道MOSFET半桥的能力使其非常适合应用于高频开关电源。集成的箝位二极管简化了设计并减少了外部组件数量。它的高侧和低侧门极驱动器独立控制且匹配度高,允许用户灵活控制死区时间。其高频率性能和低功耗使得该IC在多种高效率电源设计中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信半桥电源:在电信基础设施中,需要高效的电源管理来满足高频、稳定供电的需求。HIP2101通过精准的门极驱动能力和高速响应能力,能够显著提高系统可靠性。
    - 航空电子DC-DC转换器:在航空电子系统中,电源模块需要在有限的空间内提供高效稳定的能量转换。HIP2101的小型化封装和高可靠性使其成为理想的解决方案。
    - 双开关正激变换器和主动钳位正激变换器:这些拓扑结构要求高频率驱动能力以减小磁性元件的尺寸和成本。HIP2101的高频率特性和快速响应时间非常适合这类应用。
    使用建议:
    - 正确连接电源:确保VDD和VSS的正确连接,并采用适当的去耦电容以减少噪声干扰。
    - 考虑散热需求:根据具体应用选择合适的封装类型,并确保良好的散热措施。
    - 合理选择外部元件:对于高侧电源,需选用合适的外部箝位电容以满足HIP2101的工作要求。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:HIP2101的SOIC、EPSOIC、QFN和DFN封装均符合行业标准,能够与其他标准组件兼容。集成的箝位二极管消除了对外部分立二极管的需求,从而减少了外部元件的数量。
    厂商支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括产品页面上的资料下载、技术支持热线和在线论坛,帮助用户更好地理解和应用HIP2101。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:启动过程中出现异常波动
    - 解决方案:检查供电电压是否在规定范围内,确保VDD和VHB的电压稳定。如果使用外部箝位电容,请确认其值和连接正确。
    - 问题:高频驱动时出现过温问题
    - 解决方案:改善散热措施,如增加散热片或优化电路布局。检查供电电流是否超出规定范围,并采取相应措施限制电流。
    - 问题:工作频率不一致
    - 解决方案:验证所有相关引脚的信号完整性,确保输入信号的波形正确。确认工作温度范围内的稳定性,必要时进行温度补偿。

    7. 总结和推荐


    总结:HIP2101是一款专为高频应用设计的高性能半桥MOSFET驱动器。其高频率性能、集成箝位二极管、高可靠性及宽广的应用范围使其成为电信、航空电子及各类电源转换应用的理想选择。
    推荐:鉴于其在高频应用中的卓越表现和广泛适用性,我们强烈推荐HIP2101用于需要高效、高可靠性电源管理的场合。无论是电信设备还是航空电子系统,HIP2101都是您的首选产品。

HIP2101IRZT参数

参数
驱动数量 2
最大高压侧电压-自举 114V
逻辑电压 - VIL,VIH 800mV,2.2V
最大传播延迟时间 43ns
下降时间 10ns
通道类型 -
栅极类型 MOSFET,N沟道
上升时间 10ns
最小工作供电电压 9V
输入类型 Non-Inverting
最大工作供电电压 14V
驱动配置 半桥
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 2A,2A
长*宽*高 5mm(长度)*5mm(宽度)
通用封装 QFN(EP)
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

HIP2101IRZT厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

HIP2101IRZT数据手册

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HIP2101IRZT封装设计

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