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ISL89163FRTAZ-T

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 20ns 2 4.5V 25ns 16V 1.22V,2.08V Non-Inverting MOSFET,N沟道 20ns 低压侧 6A,6A DFN 贴片安装,黏合安装 3mm(长度)*3mm(宽度)
供应商型号: ISL89163FRTAZ-T
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 ISL89163FRTAZ-T

ISL89163FRTAZ-T概述

    # ISL89163, ISL89164, ISL89165 高速双通道6A功率MOSFET驱动器

    产品简介


    ISL89163、ISL89164和ISL89165是高速、双通道6A功率MOSFET驱动器,具有使能输入。这些器件适用于需要高精度延迟和低功耗的应用场景。它们在同步整流、开关模式电源等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 供电电压范围(VDD):相对于GND -0.3V 至 18V
    - 逻辑输入(INA、INB、ENA、ENB):相对于GND -0.3V 至 VDD + 0.3V
    - 输出(OUTA、OUTB):相对于GND -0.3V 至 VDD + 0.3V
    - 平均输出电流:150mA
    - ESD评级:人体模型2级,2kV;机器模型2级,200V;带电设备模型4级,1kV
    - 最大锁存电流:500mA
    热信息
    - 结温范围:-40°C 至 +150°C
    - 储存温度范围:-65°C 至 +150°C
    - 最大工作结温范围:-40°C 至 +150°C
    - 最大功率耗散(自由空气中,+25°C):2.27W
    - 最大功率耗散(铜平面,+25°C):33.3W
    推荐工作条件
    - 供电电压范围(选项A和B):4.5V 至 16V
    - 供电电压范围(选项C):7.5V 至 16V
    - 逻辑输入范围:0V 至 VDD
    - 输出范围:0V 至 VDD
    - 每个使能和输入通道的最大电源电流:5mA(所有引脚接地时)
    - 输入容抗:2pF
    - 输入偏置电流:±10µA
    交流电气特性
    - 输出上升时间(10%至90%,负载为10nF):20ns
    - 输出下降时间(90%至10%,负载为10nF):20ns
    - 输出上升传播延迟(非反相输入,VDD=12V,选项A和B):25ns
    - 输出下降传播延迟(反相输入,VDD=12V,选项A和B):25ns
    - 米勒平台源电流(VDD=10V,VMILLER=5V):6A

    产品特点和优势


    - 高精度延迟控制:通过外部RC电路可实现精准的时间延迟。
    - 低功耗:在高开关频率下仅消耗极少量的内部偏置电流。
    - 热阻:θJC = 3°C/W,确保高效散热。
    - 灵活性:提供三种输入逻辑阈值选择,适应不同的电压需求。
    - 可靠性:具备较高的ESD和锁存能力,保证在各种环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    - 同步整流器驱动
    - 开关模式电源
    - 电机驱动
    - 类D放大器
    - 不间断电源(UPS)
    - 逆变器
    使用建议
    - 为了充分发挥器件性能,应在PCB布局设计中合理规划电源层和接地层,确保良好的散热效果。
    - 在使用过程中应注意避免输出负载过大导致的功耗增加。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可以与其他标准逻辑电平兼容的MOSFET配合使用。
    - 支持:厂商提供详细的技术文档和在线技术支持,帮助用户解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | VDD启动时产生意外脉冲 | 确保启动电路正确连接,特别是确保外部电阻和电容正确配置。|
    | 输出电流异常 | 检查负载是否超过规定范围,适当减小负载。|

    总结和推荐


    ISL89163、ISL89164和ISL89165凭借其高精度延迟控制、低功耗和高可靠性等特点,在多种应用中表现出色。它们特别适合需要精确控制和高效率的应用场景。强烈推荐使用这些产品以获得最佳性能。

ISL89163FRTAZ-T参数

参数
最大高压侧电压-自举 -
栅极类型 MOSFET,N沟道
输入类型 Non-Inverting
最小工作供电电压 4.5V
最大工作供电电压 16V
逻辑电压 - VIL,VIH 1.22V,2.08V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 6A,6A
最大传播延迟时间 25ns
下降时间 20ns
驱动数量 2
上升时间 20ns
通道类型 -
驱动配置 低压侧
长*宽*高 3mm(长度)*3mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ISL89163FRTAZ-T厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

ISL89163FRTAZ-T数据手册

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ISL89163FRTAZ-T封装设计

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200+ ¥ 6.3461
1000+ ¥ 6.0749
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