处理中...

首页  >  产品百科  >  PJMF280N60E1_T0_00001

PJMF280N60E1_T0_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 27nC@ 10V 1个N沟道 600V 280mΩ@ 6.5A,10V 13.8mA ITO-220AB-F
供应商型号: AV-S-PJTPJMF280N60E1T!A
供应商: Avnet
标准整包数: 50
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJMF280N60E1_T0_00001

PJMF280N60E1_T0_00001概述

    # 电子元器件产品技术手册:PJMF280N60E1

    产品简介


    PJMF280N60E1是一款600V N沟道超级结MOSFET,专为电源管理和转换应用设计。它具有高开关速度和低导通电阻(RDS(on)),适用于多种应用场合,如功率因数校正(PFC)、电视电源、个人计算机电源、PD充电器、适配器、服务器和不间断电源(UPS)。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压(VDS) | 650 V
    | 漏源电压(VDS) | 600 V
    | 栅源电压(VGS) | ±30 V
    | 连续漏极电流(ID) 13.8 A
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 41.4 A
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 140 mJ
    | MOSFET dv/dt坚固性 | 50 V/ns
    | 功率耗散 34 W
    | 置绝缘耐压(VISO) | 3.5 kV
    | 工作结温和存储温度范围(TJ, TSTG) | -55 ~ 150°C
    静态电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(BVDSS) | 600 | 680 V |
    | 栅阈值电压(VGS(th)) | 2 | 3.2 | 4 | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) 248 | 280 | mΩ |
    | 栅泄漏电流(IGSS) ±100 | nA |
    动态电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 总栅电荷(Qg) 27 nC |
    | 输入电容(Ciss) 926 pF |
    | 输出电容(Coss) 38
    | 反向转移电容(Crss) 11
    | 开启延迟时间(td(on)) 39 ns |
    | 关闭延迟时间(td(off)) 119

    产品特点和优势


    PJMF280N60E1的主要特点是其低RDS(on),使得它非常适合高频应用,且易于驱动。其100%的雪崩测试和栅极电阻测试确保了高度可靠的操作。绿色封装材料符合IEC 61249标准,环保且无铅,满足欧盟RoHS 2.0标准。这使得该产品在市场上的竞争力非常强。

    应用案例和使用建议


    PJMF280N60E1适用于多种电源管理应用,如电视电源、个人计算机电源、PD充电器、适配器、服务器和不间断电源(UPS)。例如,在PFC电路中,它的低RDS(on)可以显著降低功耗。在实际应用中,为了达到最佳性能,建议在设计电路时考虑适当的散热措施,以避免过热问题。

    兼容性和支持


    该产品采用ITO-220AB-F封装,适用于多种标准接口。厂商提供了全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用该产品。此外,厂商还提供详细的使用指南和技术文档,帮助用户更好地理解和利用该产品的功能。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗高 | 优化电路设计,减少栅极电阻 |
    | 散热不良 | 加装散热片,提高热导率 |
    | 寿命短 | 定期检查和更换,确保工作条件稳定 |

    总结和推荐


    综上所述,PJMF280N60E1是一款高性能、高可靠性、绿色环保的600V N沟道超级结MOSFET。其低导通电阻、高开关速度和优秀的电气特性使其成为各种电源管理应用的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,特别是对于那些需要高性能和高可靠性的应用场合。

PJMF280N60E1_T0_00001参数

参数
Id-连续漏极电流 13.8mA
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 6.5A,10V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 27nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 ITO-220AB-F
零件状态 在售

PJMF280N60E1_T0_00001数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001数据手册

PJMF280N60E1_T0_00001封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.6046 ¥ 5.3507
900+ $ 0.5993 ¥ 5.3042
库存: 3000
起订量: 300 增量: 50
交货地:
最小起订量为:300
合计: ¥ 1605.21
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504