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PJA3432-AU_R1_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1.25W(Ta) 1.3V@ 250µA 1.5nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 200mΩ@ 1.6A,4.5V 1.6mA 93pF@15V SOT-23 贴片安装
供应商型号: AV-S-PJTPJA3432AUR100!A
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJA3432-AU_R1_000A1

PJA3432-AU_R1_000A1概述

    # PJA3432-AU 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    PJA3432-AU 是一款30V耐压的N沟道增强型MOSFET,具备出色的导通电阻和低栅极泄漏电流,适用于开关负载和PWM应用等领域。该产品通过了AEC-Q101认证,符合欧盟RoHS 2.0标准,并采用环保材料制造。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | +8 | - | - | V |
    | 持续漏电流 | ID | 1.6 | - | - | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 6.4 | - | - | A |
    | 功耗 | PD | - | 1.25 | - | W |
    | 结温和存储温度范围| TJ,TSTG | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻(结到环境) | RθJA | - | 100 | - | °C/W |
    静态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA| 0.5 | 0.78 | 1.3 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V, ID=1.6A| - | 145 | 200 | mΩ |
    | 零栅源漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=+8V, VDS=0V | - | - | +10 | μA |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 总栅电荷 | Qg | VDS=15V, ID=1.6A, VGS=4.5V | - | 1.5 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 93 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 19 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 6 | - | pF |
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD=15V, ID=1.6A, VGS=4.5V, RG=6Ω| - | 6.4 | - | ns |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在不同工作条件下(如 VGS=4.5V, ID=1.6A),RDS(ON)<200mΩ;在VGS=2.5V时RDS(ON)<270mΩ。
    - 高级沟槽工艺:采用先进的沟槽工艺技术,提升整体性能。
    - 静电保护:具备2KV HBM的静电防护能力,有效避免损坏。
    - 认证与环保:通过AEC-Q101认证,符合RoHS标准,采用环保材料。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    PJA3432-AU MOSFET广泛应用于各种需要高效率、低功耗的场合,例如开关电源、PWM控制电路和驱动电机等。
    使用建议
    - 选择合适的散热方案:鉴于最大结温为150°C,确保良好的散热措施以保持正常运行。
    - 注意脉冲电流限制:根据手册,脉冲电流不得超过6.4A,持续时间不超过300us,占空比不超过2%。

    兼容性和支持


    - 兼容性:PJA3432-AU与市面上常见的SOT-23封装引脚兼容。
    - 支持:Panjit International Inc. 提供详尽的技术支持和维修服务。用户可通过官网获取最新文档和相关资料。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定正确的散热策略?
    - 解决方案:参考手册中的热阻数据(RθJA = 100°C/W),计算所需散热片面积或风扇功率。
    2. 遇到过载情况怎么办?
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,增加外部保护电路,如限流电阻或保险丝。

    总结和推荐


    PJA3432-AU是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型MOSFET,具有出色的导通特性和优秀的抗干扰能力。它的多种优势使其成为开关电源、PWM控制器和电机驱动等应用的理想选择。强烈推荐用于需要高效、低功耗且安全可靠的应用场景。

PJA3432-AU_R1_000A1参数

参数
配置 -
最大功率耗散 1.25W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V@ 250µA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 1.6A,4.5V
Id-连续漏极电流 1.6mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 93pF@15V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 1.5nC@ 4.5 V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJA3432-AU_R1_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJA3432-AU_R1_000A1 PJA3432-AU_R1_000A1数据手册

PJA3432-AU_R1_000A1封装设计

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