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PJL9411_R2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1.7W(Ta) 2.5V@ 250µA 11nC@ 4.5 V 1个P沟道 30V 20mΩ@ 8.4A,10V 8.4A 1.169nF@15V SOP-8 贴片安装
供应商型号: AMS-PJL9411_R2_00001
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJL9411_R2_00001

PJL9411_R2_00001概述


    产品简介


    PPJL9411 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻(RDS(ON))、高开关速度和较低的门极电荷,适用于各种高压开关应用。具体的应用领域包括电源管理、电机驱动、逆变器及汽车电子系统等。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - 漏源电压 (VDS): -30V
    - 栅源电压 (VGS): +20V
    - 连续漏极电流 (ID, TA=25°C): -8.4A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -33.6A
    - 功率耗散 (PD, TA=25°C): 1.7W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): -30V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): -1.0V 至 -2.5V
    - 导通电阻 (RDS(on)):VGS=-10V,ID=-8.4A 时,17mΩ 至 20mΩ;VGS=-4.5V,ID=-5A 时,26mΩ 至 32mΩ
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷 (Qg): 11nC
    - 输入电容 (Ciss): 1169pF
    - 输出电容 (Coss): 180pF
    - 反向转移电容 (Crss): 132pF
    - 开启延时时间 (td(on)): 5.9ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 55ns
    - 其他特性:
    - 工作温度范围 (TJ,TSTG): -55°C 至 150°C
    - 最大结到环境热阻 (RθJA): 73.5°C/W
    - 铅含量符合欧盟RoHS 2.0标准

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:VGS=-10V时,最大导通电阻仅为20mΩ,这使得该MOSFET在高压应用中能够有效减少能量损耗。
    - 高开关速度:低门极电荷 (Qg) 和快速开关时间使其适用于需要高速切换的应用场景。
    - 环境友好:铅含量符合RoHS 2.0标准,并采用无卤素绿色模塑化合物,符合IEC 61249标准。
    - 耐高温:宽广的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:该MOSFET可应用于如开关电源、直流-直流转换器、电机驱动电路等。它在电机驱动中表现出色,特别是在需要高效能和低损耗的场合。
    使用建议:
    - 在设计时应考虑到高开关频率下的EMI问题,必要时可以增加滤波电容来抑制噪声。
    - 使用过程中应注意散热,特别是当电流较大时,需要合理的散热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:PPJL9411 采用标准SOP-8封装,易于集成到现有电路中。此外,其电气特性保证了与大多数低压控制电路的良好兼容性。
    - 支持与维护:Panjit International Inc. 提供详尽的技术文档和支持,确保客户在使用过程中能够得到及时的技术援助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:过高的栅源电压导致损坏。
    - 解决办法:确保栅源电压不超过规定值(VGS ≤ +20V)。

    - 问题二:过高的连续漏极电流导致过热。
    - 解决办法:根据环境温度选择合适的散热方案,必要时加装散热片。

    总结和推荐


    总结:PPJL9411 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款出色的P沟道增强型MOSFET,具备优异的导通电阻、高速开关能力和广泛的温度适用范围。它的环保特性和高可靠性使其成为许多高压应用的理想选择。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用 PPJL9411 作为高压电力转换和控制系统的首选器件。

PJL9411_R2_00001参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 11nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 1.7W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 8.4A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 -
Id-连续漏极电流 8.4A
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.169nF@15V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJL9411_R2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJL9411_R2_00001 PJL9411_R2_00001数据手册

PJL9411_R2_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 3.084 ¥ 25.9056
500+ $ 3.06 ¥ 25.704
999+ $ 3.048 ¥ 25.6032
库存: 402
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