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PJD15P06A-AU_L2_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2W(Ta),25W(Tc) 2.5V@ 250µA 17nC@ 10 V 1个P沟道 60V 68mΩ@ 7.5A,10V 15A 879pF@30V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: AV-S-PJTPJD15P06AAUL2!A
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD15P06A-AU_L2_000A1

PJD15P06A-AU_L2_000A1概述

    # PJD15P06A-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    PJD15P06A-AU 是一款采用 TO-252AA 封装的 60V P 沟道增强模式 MOSFET。此款 MOSFET 主要用于高压环境下的电源转换、电机驱动和开关应用。它凭借其卓越的性能和高可靠性,在汽车电子、工业控制和通信设备等领域得到广泛应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | +20 V |
    | 漏极-源极电压 | VDS -60 | V |
    | 连续漏极电流(注4) | TC=25℃ -15 A |
    | 脉冲漏极电流(注1) | TC=25℃ -60 | A |
    | 功率耗散(注4) | TC=25℃ 25 W |
    | 功率耗散(注4) | TA=25℃ 2 W |
    | 单脉冲雪崩能量(注6) | EAS 31 | mJ |
    | 结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55 150 | °C |
    | 静态门阈电压 | VGS(th) | -2.5 | -1.63 | -1 | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) 55 | 68 | mΩ (VGS=-10V)|
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) 71 | 85 | mΩ (VGS=-4.5V)|
    | 门-源极泄漏电流 | IGSS +100 | nA (VGS=+20V)|
    | 总栅极电荷 | Qg 17 nC (VDS=-30V,VGS=-10V)|
    | 输入电容 | Ciss 879 pF (VDS=-30V,VGS=0V,f=1MHz)|
    | 输出电容 | Coss 70 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 47 pF |

    产品特点和优势


    PJD15P06A-AU 的主要特点是其低导通电阻、高开关速度和优良的dv/dt能力。具体如下:
    - 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS=-10V, ID=-7.5A 下为 68mΩ,而在 VGS=-4.5V, ID=-4A 下为 85mΩ。
    - 高开关速度:确保在高频开关应用中具有出色的性能。
    - 改进的dv/dt能力:提高了在快速变化电压条件下的稳定性。
    - 低栅极电荷:降低开关损耗,提高效率。
    - 低反向转移电容:减少信号干扰,提高系统的整体性能。
    - AEC-Q101 认证:满足汽车电子行业标准要求。
    - 无铅且符合RoHS 2.0标准:环保材料,适用于全球市场。
    - 绿色模塑化合物:符合 IEC 61249 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    PJD15P06A-AU 通常应用于高压逆变器、电源转换器、马达驱动器和工业控制系统。在这些应用场景中,其低导通电阻和高开关速度有助于提高能效并减少热耗散。
    使用建议
    - 确保电路设计中提供适当的散热措施以避免过热。
    - 选择合适的驱动器以匹配其低栅极电荷和高开关速度。
    - 使用合适的封装以确保最佳的热管理和电气性能。

    兼容性和支持


    PJD15P06A-AU 可与各种电子元件和系统兼容,包括但不限于其他 MOSFET 和集成电路。厂商提供全面的技术支持,包括在线资源、文档和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET 过热 | 改善散热措施,如增加散热片。 |
    | 开关频率过高导致热耗散 | 优化电路设计,降低开关频率。 |
    | 栅极驱动电压不稳定 | 确保栅极驱动器稳定并匹配 MOSFET 需求。|

    总结和推荐


    PJD15P06A-AU 是一款专为高压环境下的高效电源转换和控制而设计的 MOSFET。它以其出色的性能、可靠的特性和广泛的适用性,在市场上具有强大的竞争力。对于需要高性能 MOSFET 的高压应用场合,强烈推荐使用 PJD15P06A-AU。
    综上所述,如果您正在寻找一款兼具高性能和高可靠性的 P 沟道增强模式 MOSFET,PJD15P06A-AU 将是一个理想的选择。

PJD15P06A-AU_L2_000A1参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 879pF@30V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 17nC@ 10 V
最大功率耗散 2W(Ta),25W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 68mΩ@ 7.5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 15A
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJD15P06A-AU_L2_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU_L2_000A1数据手册

PJD15P06A-AU_L2_000A1封装设计

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