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PJE8439_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 300mW(Ta) 2.5V@ 250µA 1.1nC@ 4.5 V 1个P沟道 60V 4Ω@ 500mA,10V 200mA 51pF@25V SOT-523 贴片安装
供应商型号: AMS-PJE8439_R1_00001
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJE8439_R1_00001

PJE8439_R1_00001概述

    # 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    本产品为一款60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型P沟道场效应晶体管),型号为PPJE8439。此电子元器件具有高电压和低导通电阻的特性,特别适用于继电器驱动、速度线驱动等领域。
    主要功能
    - 高压驱动:最大栅源电压可达20V。
    - 低导通电阻:在不同电压条件下,导通电阻范围从4Ω到13Ω不等。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,无卤素材料。
    应用领域
    - 继电器驱动
    - 速度线驱动
    - 一般用途的开关电源

    技术参数


    静态特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏-源击穿电压 | BVDSS | -60 | - | - | V |
    | 栅-源阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | -1.5 | -2.5 | V |
    | 漏-源导通电阻 | RDS(on) | - | 2.4 | 4 | Ω |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 1.1 | - | nC |
    | 栅-源电荷 | Qgs | - | 0.3 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 51 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 2.2 | - | pF |
    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅-源电压 | VGS | +20 | V |
    | 持续漏电流 | ID | -200 | mA |
    | 脉冲漏电流 | IDM | -800 | mA |
    | 工作结温与存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | °C |
    热特性
    - 热阻:结至环境热阻(注3)RθJA = 417°C/W
    - 每度散热功率降额系数:2.4mW/°C

    产品特点和优势


    - 先进沟槽工艺技术:采用先进的沟槽工艺制造,保证高性能。
    - 高可靠性:无铅,符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,绿色模塑化合物符合IEC61249标准(无卤素)。
    - 广泛的应用场景:适合于各种驱动和开关电源电路。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 继电器驱动:适用于各种电子设备中的继电器控制。
    - 速度线驱动:用于汽车、工业自动化中的信号传输。
    使用建议
    - 在设计电路时,需确保栅源电压不超过20V。
    - 应注意电路的散热问题,尤其是在高负载情况下。
    - 建议在高温环境下使用时进行适当的散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与SOT-523封装的同类产品兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的栅源电压?
    解答:建议使用10V的栅源电压以获得最低的导通电阻。
    问题2:如何优化电路的散热?
    解答:使用较大的散热片或外部风扇来降低器件的工作温度。
    问题3:如何避免因过流导致的损坏?
    解答:在电路中添加限流电阻或保护电路,以防止过流情况发生。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:先进的沟槽工艺技术,高可靠性,广泛的适用范围。
    - 不足:工作温度限制较为严格。
    推荐
    总体而言,这款60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET(型号PPJE8439)是一款性能优越的电子元器件,适用于多种应用场景。尽管其工作温度有一定的限制,但在正确设计和使用的情况下,完全可以满足大多数应用场景的需求。因此,我们强烈推荐这款产品用于相关电路的设计。

PJE8439_R1_00001参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 51pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 1.1nC@ 4.5 V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 300mW(Ta)
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 200mA
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 500mA,10V
通用封装 SOT-523
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJE8439_R1_00001数据手册

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