处理中...

首页  >  产品百科  >  PJMF580N60E1_T0_00001

PJMF580N60E1_T0_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 15nC@ 10V 1个N沟道 600V 580mΩ@ 2.5A,10V 8mA ITO-220AB-F
供应商型号: AV-S-PJTPJMF580N60E1T!A
供应商: Avnet
标准整包数: 50
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJMF580N60E1_T0_00001

PJMF580N60E1_T0_00001概述

    PJMF580N60E1 600V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    PJMF580N60E1 是一款 600V N-Channel 超级结(Super Junction)MOSFET,适用于高效能电源管理和开关电路设计。这种高性能电子元器件采用了先进的超级结技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),易于驱动且能够实现高速开关操作。主要应用于电视电源、适配器以及便携式充电器等场景。

    技术参数


    以下是 PJMF580N60E1 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 600 | 650 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 V |
    | 连续漏极电流(TA=25℃) | ID | 8 A |
    | 连续漏极电流(TA=100℃) | ID | 5 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 50 mJ |
    | 雪崩测试 100% |
    | 热阻(结至外壳) | RθJC | 4.5 °C/W |
    | 热阻(结至环境) | RθJA | 62.5 °C/W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 最大为 580mΩ(在 VGS=10V 下),适合高频高效的应用场景。
    2. 快速开关性能:适用于高效率的开关电源设计,提升系统整体效能。
    3. 高可靠性测试:100% 雪崩测试和栅极电阻测试确保产品在恶劣环境下的耐用性。
    4. 环保合规:无铅设计,符合欧盟 RoHS 2.0 规范,同时采用绿色模塑化合物。
    5. 易用性:设计简单,适合初学者和专业工程师快速上手。

    应用案例和使用建议


    - TV 电源:PJMF580N60E1 的高效率和低功耗特性非常适合用于电视电源模块中,有助于降低系统运行温度并延长设备寿命。
    - 适配器和充电器:此款 MOSFET 在笔记本电脑和智能手机充电器中的表现尤为出色,能够有效减少能量损耗。
    - 建议优化方案:当设计此类电路时,建议合理布置 PCB 布局以减少寄生电感,同时增加滤波电容来抑制噪声干扰。

    兼容性和支持


    PJMF580N60E1 的封装为 ITO-220AB-F,可直接替换市场上主流的同类产品。Panjit International Inc. 提供全方位的技术支持,包括详尽的数据手册和设计指南文档。此外,公司承诺提供长期的产品维护和更新服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:漏极电流超出额定值?
    解决方法:检查电路布局,适当降低负载或提高散热效率。
    2. 问题:开关频率不稳定?
    解决方法:确保所有连接点焊接良好,并调整栅极电阻值。
    3. 问题:温度过高导致性能下降?
    解决方法:安装散热片或风扇辅助降温,避免长时间过载运行。

    总结和推荐


    PJMF580N60E1 是一款卓越的 N-Channel 超级结 MOSFET,凭借其高效率、低功耗及广泛的适用范围,在众多电源管理应用场景中表现出色。它特别适合需要紧凑设计、高可靠性以及绿色环保特性的电子设备。强烈推荐在相关领域进行选用!
    如果您对本产品有任何疑问或需要更多技术支持,请访问 Panjit 官方网站获取最新信息。

PJMF580N60E1_T0_00001参数

参数
Id-连续漏极电流 8mA
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 580mΩ@ 2.5A,10V
栅极电荷 15nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 ITO-220AB-F
零件状态 在售

PJMF580N60E1_T0_00001数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1_T0_00001数据手册

PJMF580N60E1_T0_00001封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ $ 0.386 ¥ 3.416
1350+ $ 0.3826 ¥ 3.3863
库存: 3000
起订量: 450 增量: 50
交货地:
最小起订量为:450
合计: ¥ 1537.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0