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2N7002K_R1_000Z9

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 20V 1个N沟道 60V 300μA SOT-23
供应商型号: 14M-2N7002K_R1_000Z9
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) 2N7002K_R1_000Z9

2N7002K_R1_000Z9概述

    2N7002K N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    2N7002K 是一款由Panjit International Inc.生产的60V N-通道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计,以实现极低的导通电阻。其主要功能是用于电池驱动系统和固态继电器驱动器,如继电器、显示器、灯泡、电磁阀、存储器等。此外,它还具备静电放电保护能力,可承受高达2KV的人体模型静电放电。2N7002K符合欧盟RoHS 2.0标准,采用绿色封装材料,适用于各类电子系统。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大耐压(漏源电压):60V
    - 最大连续栅极电压:±20V
    - 最大持续漏极电流:3A
    - 脉冲峰值漏极电流:12A(脉冲宽度<300μs,占空比<2%)

    - 热特性
    - 最大功率耗散:52W(TA=25°C)
    - 热阻抗(结点到外壳):75°C/W

    - 静态特性
    - 导通电阻(漏源电压10V时,漏极电流500mA):3Ω
    - 导通电阻(漏源电压4.5V时,漏极电流200mA):4Ω

    产品特点和优势


    2N7002K 具备多种显著的特点和优势,使其在众多应用场合中脱颖而出:
    - 先进工艺技术:采用先进的沟槽工艺技术,提高生产效率和可靠性。
    - 超低导通电阻:在多种工作条件下均能提供非常低的导通电阻,提高系统的整体能效。
    - 高密度单元设计:紧凑的设计不仅减少了物理空间需求,而且降低了成本。
    - 非常低的漏电流:在关断状态下具有极低的漏电流,延长电池寿命。
    - ESD保护:具备2KV人体模型静电放电保护,提高产品可靠性和使用寿命。
    - 环保材料:采用符合RoHS标准的无铅封装材料和绿色塑封材料,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    2N7002K 在多个领域均有广泛应用,比如固态继电器驱动器、显示器、电磁阀、存储器等。具体应用案例可能包括:
    - 固态继电器:在需要频繁开关的电路中使用,可以显著降低功耗。
    - 电池驱动系统:非常适合便携式设备,如笔记本电脑、平板电脑等,提高系统能效。
    使用建议:
    - 确保电路设计能够支持产品的最大功率耗散,以避免过热现象。
    - 在选择外部元件时,应考虑与MOSFET的兼容性,特别是电容和电阻值的选择。

    兼容性和支持


    2N7002K 与其他常见的电子元件和设备兼容,如继电器、LED显示器、电磁阀等。厂商提供全面的技术支持,包括详细的数据手册和技术咨询。此外,用户还可以访问厂商网站获取最新的产品信息和更新。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:在高温环境下运行时出现异常温升
    - 解决方案:检查散热片设计是否合理,确保良好的热传导。必要时增加外部冷却装置。
    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:确认漏源电压和栅源电压设置正确。同时检查栅极电阻选择是否适当。
    - 问题:静电放电损坏
    - 解决方案:采取适当的ESD防护措施,如使用防静电包装材料并保持良好接地。

    总结和推荐


    总体而言,2N7002K N-通道增强型MOSFET凭借其先进的工艺技术、超低导通电阻、高密度单元设计以及环保材料,成为电池驱动系统和固态继电器的理想选择。其优越的电气特性和良好的性价比使其在多个应用领域内具备显著的竞争优势。因此,我们强烈推荐2N7002K作为高性能电子系统的首选MOSFET产品。

2N7002K_R1_000Z9参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 300μA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23
应用等级 工业级
零件状态 在售

2N7002K_R1_000Z9数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 2N7002K_R1_000Z9 2N7002K_R1_000Z9数据手册

2N7002K_R1_000Z9封装设计

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