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2N7002K-AU_R1_000A1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1个N沟道 60V 300μA SOT-23
供应商型号: 2N7002K-AU_R1_000A1 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) 2N7002K-AU_R1_000A1

2N7002K-AU_R1_000A1概述

    # P2N7002K-AU 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    基本介绍
    P2N7002K-AU 是一款高性能的 60V N 沟道增强型 MOSFET,适用于电池供电系统、固态继电器驱动等领域。该产品采用了先进的沟槽工艺技术,具有极低的导通电阻和高可靠性,特别适合于紧凑型电路设计和小型化电子设备的应用。
    主要功能
    - 高效电能转换
    - 快速开关性能
    - 超低导通电阻(RDS(on))
    - 支持固态继电器驱动
    应用领域
    - 电池管理系统
    - 固态继电器驱动
    - 显示屏控制
    - 内存模块保护

    2. 技术参数


    以下是 P2N7002K-AU 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | -20 | +20 | - | V |
    | 连续漏电流 | ID | - | - | 300 | mA |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | 2000 | mA |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | - | 3 | - | Ω |
    | 导通电阻(VGS=4.5V) | RDS(on) | - | 4 | - | Ω |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 500 | mW |
    | 工作温度范围 | TJ,TSTG | -55 | - | 150 | ℃ |

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    1. 先进的沟槽工艺技术:确保极低的导通电阻和高效的电能转换。
    2. 高密度单元设计:实现超低的导通电阻。
    3. 极低的关断漏电流:在关断状态下保持极低的泄漏电流。
    4. 静电放电保护:具备 2kV HBM(人体模型)静电保护。
    5. AEC-Q101 认证:符合汽车电子行业标准。
    市场竞争力
    - 极低的导通电阻(RDS(on))显著降低功耗。
    - 高可靠性设计,适用于严苛的工作环境。
    - 紧凑型封装(SOT-23),适合空间受限的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    P2N7002K-AU 广泛应用于电池管理系统、固态继电器驱动器以及显示屏控制电路中。例如,在固态继电器驱动中,它能够快速切换高电流负载,同时保持极低的功耗。
    使用建议
    - 热管理:由于最大功耗为 500mW,建议在高温环境下适当降低电流以避免过热。
    - 栅极驱动:使用适当的栅极驱动电阻(如 10Ω)以优化开关速度和效率。
    - 兼容性检查:确保与其他组件的电气特性匹配,避免不必要的干扰。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    P2N7002K-AU 可与大多数常见的电池管理系统和固态继电器控制器兼容。其 SOT-23 封装设计使其易于集成到现有电路中。
    厂商支持
    Panjit International 提供详尽的技术文档和全面的支持服务,包括样品请求、技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机时发热严重 | 减少负载电流,优化散热设计 |
    | 漏电流过大 | 检查是否超过最大额定值,更换合适的器件 |
    | 开关速度慢 | 增加栅极驱动电阻阻值 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    P2N7002K-AU 是一款高性能、低功耗的 N 沟道 MOSFET,凭借其先进的沟槽工艺技术和紧凑的设计,成为电池供电系统和固态继电器驱动的理想选择。其出色的性能和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐结论
    强烈推荐使用 P2N7002K-AU,尤其是在需要高效电能转换和紧凑封装的应用场景中。无论是消费类电子产品还是工业控制领域,该产品都能提供卓越的表现。

2N7002K-AU_R1_000A1参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 300μA
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23
包装方式 卷带包装

2N7002K-AU_R1_000A1数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 2N7002K-AU_R1_000A1 2N7002K-AU_R1_000A1数据手册

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